프로윈
P200
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 리소그래픽장비
공동활용서비스
2024-12-03
89,719,830원
없음
마스크 정렬(alignment) 및 자외선 노광을 이용하여 소자의 미세패턴을 시편표면에 형성된 photoresist (PR) 층으로 전사하고 마스크를 자동으로 얼라인하는 photo lithography 공정장비로써 자동 마스크 얼라이너라고 할 수 있다. Photo Lithography 공정을 수행하는 시스템으로서 감광막에 자외선부터 가시광선(365~450nm)을 직접 조사하여 반응 Wafer 및 기타 Substrate 위의 다양한 물질에 Pattern을 형성시키는 것을 목적하는 공정장비
Photo Lithography 공정을 수행하는 시스템으로서 반도체 소자 공성 시 감광막에 자외선(UV)을 직접 조사하여, 미세패턴을 구현하고 Wafer 등 샘플에 Pattern을 형성시키는 것에 활용되며 차세대 디스플레이 소재개발 및 실증기반 테스트베드 구축사업에서 도입하려는 마스크얼라이너 및 노광 장비는 QD, OLED디스플레이 제작 시 각 Layer에 대한 PHOTO MASK에 각인 된 패턴의 형상대로 유리기판에 회로를 그려주는 장비로 디스플레이 공정의 주요 핵심 장비이다. 때문에, 이 장비의 도입은 필수라 할 수 있다. 주 활용 목적은 중소기업의 수요에 맞게 소자 및 회로를 제작하는데 활용하여 QD-OLED 디스플레이 소재 평가를 통한 기업지원 목적으로 활용됨
Light Source가 UV Mercury Lamp로 350nm~450nm 범위의 파장대가 조사되는 노광모듈
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
[Hr] 45,000원
마스크얼라이너 및 노광장비는 날로 고효율 정밀화, 나노이하 수준으로 개발되는 디스플레이 소재류 및 관련부품의 패턴형성을 위한 테스트 및 개발 지원 및 차세대디스플레이 개발 기판의 TFT공정 개발 , 소재개발 , 평가를 수행하며 Photo Lithography 공정을 활용하여 제작 시 각 Layer에 대한 PHOTO MASK에 각인 된 패턴의 형상대로 유리기판에 회로를 그려주는 장비임
1. 마스크 얼라이너 공구 시스템
- 터치 PC 제어 시스템
- 웨이퍼/ 기판 크기 : 조각 ∼ 200mm×200mm
- 마스크 크기 : 최대 9“ × 9“
- 척 모션 : X,Y, & Theta Axis 수동식Z 전동식
- 척 레벨링 : 레벨링 플레이트 보상 시스템
2. 자외선 노출 광학
- UV 광원 350∼450nm
- UV 램프 파워 ≥ 1000W
- 빛 균일도 : <±3%
-렌즈 사이즈 : 8.25“ × 8.25“
- 365nm 세기 : ≤ Max 25㎽
- 램프 전원제어 : CP 제어
- 노출 이동 : 서보 모터 이동
3. 스코프 모듈
- 듀얼 마이크로스코프 (모리텍스사)
- 수동 이동 스테이지 : X,Y,Z Axis
- 이동 간격 : 50∼200mm
- 스테이지 이동거리 : Y Axis ± 20mm
- 모니터 : 24“
- 배율 : 40X∼480X(모니터 기준)
- 2X 부착 ( 90X∼960X(모니터 기준) )
- CCD 기가이더넷 통신
4. 얼라인먼트 스테이지 및 컨트롤 모듈
- 노출 시간 : 0.1∼999 sec
- 스테이지 이동 : 수동 X,Y, Theta Axis Z 전동
- X,Y 단위 정렬 범위: ±5mm
- Z의 정렬 범위 : 10mm
- θ의 정렬 범위 : 4도
- 접촉모드 : 진공 / 하드 / 소프트 접촉 근접도 ( 간격 조절 가능)
- 정렬 정확도 : <±1.0㎛
5. 방진 테이블
- 방진 사이즈 : 1200 x 1200 x 20t
- 상판 재질 : 스틸
- 탑 스킨 : SUS 304 H/L
- 높이 : 750 mm ( 바닥부터 위까지 )
- 레벨링 : 3점 셀프레벨링
- 고유주파수 : 수직 : 1.2 ~ 1.5 Hz/가로 : 1.5 ~ 1.8Hz
6. 인쇄해상도
- 진공접촉 : 1um(Thin PR@Si Wafer)
- 하드 접촉 : 2um
- 소프트 접촉 : 3um
- 20um 근접: 5um