센트로썸코리아 유한회사
c.PLASMA AlOx 2600-410-5(4)
5년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비
2024-01-01
1,402,029,418원
없음
실리콘 태양전지 제조용 유전막 증착 장비
태양전지용 Si 기판 표면에 SiNx, SiON, AlOx 세 가지 박막을 PECVD 방식을 통해 개별 또는 적층으로 증착하는 장비임.
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
[Hr] 1,000,000원
태양전지용 결정질 실리콘 기판 표면에 PECVD 방식으로 SiNx, SiON, AlOx 세 가지 박막을 증착하는 공정 설비
태양전지용 결정질 실리콘 기판의 표면을 패시베이션하여 변환효율을 향상시키는 공정 장비
- 4 gas system: 2x PECVD Aluminum Oxide (gas lines: N₂, SiH₄, NH₃, N₂O, TMA), 2x PECVD Silicon nitride (gas lines: N₂, SiH₄, NH₃, N₂O, CH₄)
- 4 quartz process tube (vacuum), inner tube diameter: 380 mm
- 4 furnace cooling system : closed cycle water cooling for 1 tube
- 1 process boat storage, 6 storage positions
- 1 tube loading system
- 4 tube closure: vacuum for softlanding systems
- 4 back side flange with ultratorr connection and quartz window
- 1 gas system cabinet with main gas lines for N₂, SiH₄, NH₃, N₂O
- heater temperature 100 - 600 도
- process temperature 300 - 500 도
- temperature flat precision 10 도 @ 500 도
- heating zones 5개
- Temperature measurement with thermocouples type K (Ni-CrNi) repeatability 1.0 %
- thickness uniformity point-to-point (5 points per wafer) <10%, thickness uniformity wafer-to-wafer (5 wafers per run) <10%, thickness uniformity run-to-run (3 runs per tube) <5% @ AlOx/SiNx 10nm/120nm
- 98 % of sample wafers within specification - better than 2 σ
- internal UPS 포함