정민실업

없음

○ 1800~2400 ℃이상의 소성 온도에서 세라믹 나노분말의 고온 소성/소결 공정을 통한 불순물 및 유기성분 제고와 치밀도 및
결정성 향상을 구현할 수 있는 진공로(Furnace)
- 질화/산화/탄화물 나노입자 형성 및 표면처리
- 비산화물(SiC, Si₃N₄) 소재의 상압 소결 및 소성 처리

○ 세라믹 패키지 제조
- HTCC/LTCC는 질화 알루미늄 그린 세라믹 테이프를 약 1500 ~ 1800℃이상의 소성 온도를 필요로 하기 때문에 융점이
높은 W 계, 또는 Mo 계의 금속 페이스트를 사용하여, 스크린 인쇄를 통해 그린 세라믹 테이프에 인쇄되어 금속회로를 형성
되며, 조성물과 동등한 수준의 강도를 구현 할 수 있음
- 절연체의 조성물의 동시 소성 시 Ni 주성분으로 하는 전극의 산화 억제가 필요하므로 H₂ 농도를 최대 3% 이하에서 강한
환원 분위기에서 소성 공정을 통해 전극인쇄, 가공, 전극형성으로 3차원 구조의 복잡한 평판, cavity 구조를 빠르고 신속
한 소성(성형) 공정을 구현할 수 있음