ULVACPHI INC
PHI GENESIS
10년
주장비
분석
화합물 전처리·분석장비 > 분광분석장비 > X-선광전자분광기
공동활용서비스
2025-03-12
1,047,875,770원
없음
대기 비개방 조건에서 시료를 준비하여 내각전자의 결합에너지를 측정함으로써 원소의 조성 및 화학 결합 상태에 대한 정보를 제공하는 장비
- 광전자스펙트럼 분석 뿐 아니라 이미지 분석도 가능하여 표면의 화학조성에 대한 mapping 가능함
- X선 광원 (radiation Source) 발생 장치로서, X선을 샘플에 조사할 때 일어나는 광전효과에 의해 샘플 표면에서 방출되는 광전자의 운동에너지를 측정하여, 전자의 결합에너지를 결정함으로서 샘플의 상태를 분석
기관의뢰
고정형
건별
[Hr] 60,000원
대기 비개방 조건에서 시료를 준비하여 내각전자의 결합에너지를 측정함으로써 원소의 조성 및 화학 결합 상태에 대한 정보를 제공하는 장비. 물질 표면의 화학적 상태 정보의 정량, 정성적 분석이 가능
1) X선 빔의 최소 크기 : ≦5 μm
2) X선 빔의 최대 파워 : 100 W 이상
3) 최대 측정 범위 : 1400 μm × 1400 μm
4) 측정 감도 : 100 μm 기준 1.0 eV에서 6 Mcps 이상, 10 μm 기준 1.0 eV에서 100 Kcps 이상
5) 측정 시 X선 유도 2차 전자 이미지 스캔이 가능 (≦10 μm)
6) 렌즈 : 고각 수용 렌즈, 128 채널 MCD 감지기
7) 메인 챔버 진공 펌프 : 터보 펌프 430l/s 이상
8) 샘플 홀더 이동 자동 시스템
9) 샘플 스테이지 5축 방향으로 자동 제어 가능 (X, Y, Z, T, R)
10) 깊이에 따른 XPS 분석 : Ar ion gun, 빔 voltage (0.2 ~ 5 kV)
11) 극자외선 광전자분광분석 시스템
12) 저에너지 전자빔을 이용한 역광전자 분광분석이 가능 ( <5 eV)
13) 샘플 홀더의 크기 : 80mm × 80mm
14) 샘플 로딩 시 진공상태로 유지하는 것이 가능