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장비정보

제작사
NIKON
모델 명
NSR S204B

내용연수
40년
구분
주장비

용도
시험
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 리소그래픽장비

장비활용범위
공동활용허용
취득일
2024-05-24

취득금액
3,500,000,000원
인증정보
없음
기능
반도체 제조공정에서 광원을 활용하여 설계한 회로패턴을 웨이퍼에 전사하는 장비로 미세패턴을 형성
- 8인치 SiC, GaN 소재 웨이퍼를 대상으로 대전류 특성 구현하기 위한 nm-scale 미세 패터닝 가능
장비 상세설명
SiC 및 GaN 전력반도체 소자의 대전류 특성 구현하기 위한 nm-scale 미세 패터닝 공정
8인치 SiC 웨이퍼 및 GaN HEMT 구조 웨이퍼를 대상으로 대전류 특성 구현하기 위한 nm-scale 미세 패터닝 가능
SiC 전력반도체의 경우 좁은 셀 pitch를 통한 대전류 특성을 구현, GaN의 경우 대전류 특성과 높은 스위칭 속도 구현 가능

이용안내

사용형태

설치형태
고정형
사용료 형태
건별

장비 사용료
[EA] 60,000원

장비설명

SiC 및 GaN 전력반도체 소자의 대전류 특성 구현하기 위한 nm-scale 미세 패터닝 공정
8인치 SiC 웨이퍼 및 GaN HEMT 구조 웨이퍼를 대상으로 대전류 특성 구현하기 위한 nm-scale 미세 패터닝 가능
SiC 전력반도체의 경우 좁은 셀 pitch를 통한 대전류 특성을 구현, GaN의 경우 대전류 특성과 높은 스위칭 속도 구현 가능

장비 구성 및 성능

○ 장비 구성
- KrF excimer laser (248nm)
- Reduction Ratio= 1:4
- Numerical Aperture: 0.68
- Field Size: 25x33㎜(Y- scan)
- Various Aperture : Annular, Conventional
- Wafer size: 8”(flat)

○ 주요사양
- Resolution : ≤180nm
- Exposure Power : 400㎽/㎠ or more (Flash)
- Illumination Uniformity : Within ± 2.0%
- Stepping Precision : Within ±0.030nm (3σ)

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