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- 다양한 시편 및 기판 로딩 가능: 조각시편뿐만 아니라 4인치 및 6인치 실리콘 웨이퍼의 로딩이 가능합니다. 이는 다양한 크기의 시편을 처리할 수 있어 실험과 공정의 유연성을 높입니다.
- 자동 로딩/언로딩 기능: 웨이퍼를 자동으로 로딩 및 언로딩할 수 있는 진공 웨이퍼 이송 챔버를 갖추고 있어 공정의 효율성을 극대화합니다. 이는 자동화된 공정 처리로 인해 처리 시간을 단축하고 생산성을 높이는 데 기여합니다.
- 타겟과 시편 사이 거리 조절: 공정 챔버 내에서 4인치 이상의 크기를 가진 타겟과 시편 사이의 거리를 조절할 수 있어, 공정 조건에 따른 미세한 조정을 통해 다양한 박막 두께와 특성을 제어할 수 있습니다.
- 부식 방지 구조: 캐소드 내부에 사용되는 자석이 냉각수와 접촉하여 부식되는 것을 방지하는 특수 구조를 채택하고 있어 장비의 내구성을 향상시키고 유지보수 비용을 줄일 수 있습니다.
- 히터의 높낮이 조절: 서보모터를 이용하여 히터의 높낮이를 조절할 수 있습니다. 이는 공정 중 웨이퍼의 온도 제어를 더욱 정밀하게 수행할 수 있게 하며, 다양한 공정 요구에 맞춰 최적의 온도 분포를 유지할 수 있습니다.
- 공정 챔버의 확장 가능성: 장비 활용성을 높이기 위해 타겟을 사용하는 캐소드가 장착된 공정 챔버의 확장이 가능합니다. 이는 향후 공정 요구 변화에 따라 추가적인 캐소드를 설치하거나 다양한 공정을 수행할 수 있는 유연성을 제공합니다.
- 웨이퍼 이송 챔버의 여유 포트: 웨이퍼 이송 챔버에 확장 가능한 여유 포트를 구성하여 다양한 부가 장비나 새로운 공정 모듈을 손쉽게 추가할 수 있어 장비의 확장성과 활용성을 높입니다.

(장비의 역할) 다층막 고주파 스퍼터 증착 시스템은 물리적 증착(PVD: Physical Vapor Deposition) 방식의 대표적인 장비로, 주로 산화물 박막을 균일하게 증착하는 데 사용됩니다. 이 장비는 Ar, O2 플라즈마를 활용하여 타겟 물질을 기판의 미세패턴에 균일하게 증착할 수 있으며, 반도체 소자 및 센서의 제작에 필수적인 기술을 제공합니다.
- 다양한 물질 증착 가능: 반도체 물질, 절연체 등 다양한 물질의 증착이 가능하여 폭넓은 응용 범위를 자랑합니다. 이는 연구와 교육에서 반도체 소자 및 센서 제작 공정을 학습하는 데 유용합니다.
- 장비 동작 원리 학습: 사용자가 장비를 직접 운용함으로써 다층막 고주파 스퍼터 증착 시스템의 동작 원리를 이해하고, 실제 공정에 필요한 기술을 습득할 수 있습니다.

(성능) 다층막 고주파 스퍼터 증착 시스템은 고도의 정밀성을 요구하는 반도체 공정에서 필요한 다양한 성능을 제공합니다.
- 진공도: 공정 챔버 내 진공도는 vent 후 2시간 이내에 1×10^-8 Torr 이하에 도달하며, 이는 매우 낮은 누설율을 의미합니다. 이때 leak rate은 1×10^-9 Torr·L/sec 이하로 유지되어 고진공 환경에서 안정적인 공정을 보장합니다.
- 히터 균일성: 6인치 웨이퍼를 기준으로 히터의 온도 균일성이 우수합니다. 웨이퍼 가장자리에서 5mm를 제외한 9 포인트에서 기판 온도를 측정할 때, 800℃±2℃의 균일한 온도를 유지합니다. 이는 박막 증착 시 온도 분포의 균일성을 보장하여 공정의 일관성을 높여줍니다.
- 박막 저항 균일성: ITO 타겟을 사용하여 6인치 웨이퍼에 박막을 증착한 경우, 박막의 저항 균일성은 웨이퍼 내에서 25±1Ω으로 측정됩니다. 또한, 재현성은 웨이퍼 간에 25±1Ω으로 유지되어 높은 반복성과 신뢰성을 보장합니다. (이 수치는 상온에서 1,500Å 두께의 박막을, 웨이퍼 가장자리에서 5mm를 제외하고 측정한 결과입니다.)