1. 이온빔 발생장치
1) 방식 : 아르곤 페닝방식
2) 가속 전압 : 8kV 이상
3) 이온 빔 사이즈 : 500㎛ 이상
4) 밀링 속도 : 1000㎛/hr (Si 샘플 기준) 이상
5) 아르곤 (Ar) 가스 공급 제어 : 0.01cc/min 이상
2. 단면가공 스테이지
1) X 축 : ±6㎜ 이상
2) Y 축 : 2.5mm 이상
3) 시료회전 : ±3˚ 이상
4) 시료 기울임각도 : 10˚ 이상
5) 시료 진자운동 속도 : OFF + 1속도 이상
6) 시료 진자운동 각도 : ±30˚ 이상
7) 최대 밀링 영역 : 8mm (샘플 이동 범위 : ±5mm) 이상
8) 시료 크기(WxDxH) : 20 x 12 x 7mm 이상
3. 표면가공 스테이지
1) Sample Thickness : 15mm 이상
2) 각도 : 0 〜 90° 이상
3) 진자운동 각도 : ±60˚, ±90˚ 이상
4) 시료 회전 : ±5˚ 이상
5) 최대 시료 크기 : 40(Φ) x 15(H)mm 이상