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장비정보

제작사
아이작리서치
모델 명
IOV-dX1

내용연수
10년
구분
주장비

용도
교육
표준 분류
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 원자층증착장비
취득일
2024-06-04

취득금액
291,506,400원
인증정보
없음
기능
진공 상태에서 플라즈마를 활성화하여 원자층 증착 공정(atomic layer deposition process)을 통해 nano-scale의 박막을 형성할 수 있는 장비임.
장비 상세설명
- 6“ Si wafer 전용 Plasma 안정성 과 Thermal 에너지를 이용한 원자층 증착법 (박막을 원자
층 단위로 증착)을 이용하여 금속 및 유전박막을 증착 가능한 시스템(Plasma Enhanced Atomic
Layer Deposition)으로 증착이 가능함
- 1개의 Process chamber와 1개의 Loadlock chamber로 구성하여 오토 혹은 수동으로 공정이 가능함
- 단일공정 진행과 복합막 진행이 가능함
- 증착 균일도 : 3%이내(AlO) @ 6“ wafer

이용안내

사용형태
직접사용

설치형태
고정형
사용료 형태
시간별

장비 사용료
[Hr] 100,000원

장비설명

진공 상태에서 원자층 증착 공정 (atomic layer deposition process)에 의해 박막을 형성할 수 있는 장비로서, 주로 반도체 소자 제작 중 다양한 nano-scale thin film을 증착하는 데 사용되는 장비임. 또한, 다양한 기능성 나노소재들을 기판의 형상 유무에 상관없이 conformal하게 형성할 수 있는 장비로서도 활용될 수 있음.

장비 구성 및 성능

1. Oxide PEALD Chamber
Chamber : 6 inch wafer Al 6061
Susceptor heater : Wafer temp : <450℃(Max), SUS 316L
Showerhead kit : Shower head temp : <150℃(Max), Al 6061
Manual Loadlock chamber : Semi-Automated 1-wafer transfer

2. Gas Delivery Ass’y
MFC set : MKS, Max : 1000sccm
Liquid canister : Stainless steel 316, 250cc size
Canister heating : Silicon rubber jacket heater, max 150℃
Guage(Baratron&ATM) : MKS(US)
Throttle valve Auto control NW40
Gas lines&other auxiliary parts
3. Electrics & S/W
4. Frame and Vacuum Pumping line
5. RF Plasma System : 13.56MHz CCP type
6. Ozone generator
7. Pump(Oil type) : 3000L 급 이상

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