기가레인
Neos-MAXIS200H
9년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2024-06-27
766,086,000원
없음
○ 본 장비는 유도 결합 플라즈마(ICP)를 이용해 질화물 반도체를 건식 식각 공정에 적용
- 본 장비는 반도체 제조에서 ICP를 이용해 종횡비를 갖는 Mesa구조를 제작하기 위한 건식 식각 공정을 수행한다.
- 본 장비는 1 load lock과 1 process module로 구성되어 있으며, 2~8인치 공정이 모두 가능해야 한다.
- 건식 식각 시 고균일성, 고종횡비, 식각 경사도 조절이 가능해야 한다.
- 건식 식각 시 발생하는 유해가스를 정화할 수 있는 기능을 반드시 보유해야 한다.
기관의뢰
고정형
건별
[EA] 200,000원
- 본 장비는 반도체 제조에서 ICP를 이용해 종횡비를 갖는 Mesa구조를 제작하기 위한 건식 식각 공정을 수행한다.
- 본 장비는 1 load lock과 1 process module로 구성되어 있으며, 2~8인치 공정이 모두 가능해야 한다.
- 건식 식각 시 고균일성, 고종횡비, 식각 경사도 조절이 가능해야 한다.
- 건식 식각 시 발생하는 유해가스를 정화할 수 있는 기능을 반드시 보유해야 한다.
○ 주요 성능
- Base Pressure : 1X10E-5 Torr
- RF Power Range :
Source power : 3000W
Bias power : 1500W
- Process Gas : Normal 5 gases (BCl3, Cl2, CF4, O2, Ar)
- Process chamber Leak late : ≤ 2mtorr / min
- Process gasline leak : ≤ 1mtorr / min
- EPD(1set) : OES방식, 나노텍社 (200~850nm, resolution 0.5nm)
- Wall Temp. Control : Set Point ±3 ℃ (Idle)
- Top Temp. Control : Set Point ±3 ℃ (Idle)
- Pressure Control : Set point ≤1% of reading (min. 5mV)
- MFC Control : Set Point ±1%