(주)울텍
Real RTP-200
11년
주장비
교육
화합물 전처리·분석장비 > 반응/혼합/분쇄장비 > 반응장비
2024-05-29
135,208,665원
없음
본 장비는 전자 소자에 필수적인 박막 소재를 진공 분위기에서 급속으로 열처리하는 장비로서, 신소재, 반도체소자, 나노기술 등에 있어서는 박막간의 접촉 저항을 줄이거나, 이온 주입을 통한 불순물 도핑 등 소자 안정화 및 성능 개선에 있어서 급속 열처리 공정이 필수적으로 요구 됨.
1. 급속 열처리 시스템은 10-150°C/sec의 빠른 승온 속도를 통해 반도체 공정에서 재료의 산화 공정, 결정화 열처리 및 도펀드 Drive-in 공정 등에 활용 될 수 있음.
2. 본 급속 열처리 시스템은 반도체 공정 실습을 위한 구성 요소이며 반도체소자 공정 중 금속전극의 Ohmic contact 형성, 공정 전후 열처리 등에 사용 됨.
3. RTP 장비는 다양한 반도체 소자 제작 및 소재 열처리에 활용 되어야 하므로 사용 가능 온도, 온도 안정성, 냉각속도, 사용 가스의 다양성 등이 주요 성능 지표임.
4. 자동화된 PC type의 장비를 활용함으로써 장비 사용자들의 안전사고를 방지 할 수 있음.
직접사용
고정형
시간별
[Hr] 26,000원
1. 급속 열처리 시스템은 10-150°C/sec의 빠른 승온 속도를 통해 반도체 공정에서 재료의 산화 공정, 결정화 열처리 및 도펀드 Drive-in 공정 등에 활용 될 수 있음.
2. 본 급속 열처리 시스템은 반도체 공정 실습을 위한 구성 요소이며 반도체소자 공정 중 금속전극의 Ohmic contact 형성, 공정 전후 열처리 등에 사용 됨.
3. RTP 장비는 다양한 반도체 소자 제작 및 소재 열처리에 활용 되어야 하므로 사용 가능 온도, 온도 안정성, 냉각속도, 사용 가스의 다양성 등이 주요 성능 지표임.
4. 자동화된 PC type의 장비를 활용함으로써 장비 사용자들의 안전사고를 방지 할 수 있음.
•Wafer size: up to 8 inch
•Wafer material: Si, Sapphire, Glass, Ceramic, etc.
•Gas line: N2, O2, Ar
•Process pressure: ATM to E-6 Torr
•Heat source: Infrared halogen lamp
•Ramp-up rate: 10~150℃/sec for Si wafer
•Steady-state temperature range: 150~1,250℃
•Temperature accuracy: ≤3℃
•Temperature repeatability: ≤3℃
•Temperature uniformity: ≤1.5% (@800℃, Si wafer)