삼한박막진공

없음

본 CCP-RIE 장비는 반도체 공정기술 중 식각공정을 위한 장비로 절연체로 대표되는 산화막과 질화막을 식각할 수 있는 장비이다. 반도체소부장특화교육을 위해 기존 장착된 부품과 모듈을 탈부착 및 교체가 가능하도록 설계 및 제작이 되어있는 장비이다.

장비를 구성하는 제원은 다음과 같다.
1) 재원 : 6인치 진공챔버, 13.56 MHz RF 전원, 아노다이징 처리된 메탈척
2) 사용가스 : CHF3, CF4, O2, N2, Ar
3) 부대시설 : 저온칠러 (제조사, 나이스쿨)
4) 성능 : 6인치 실리콘 기판에 증착된 산화막과 질화막의 건식 식각, 식각률은 분당 50 nm 이상, 균일도는 5% 이내
5) 장비 운용을 위한 제어소프트웨어는 장비제조사에서 설계한 PLC 기반의 소프트웨어가 탑재되어 있음 (별도 구매가 불가능한 소프트웨이가 탑재됨)