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장비정보

제작사
ms tech
모델 명
MST8000CL

내용연수
10년
구분
주장비

용도
계측
표준 분류
전기·전자장비 > 측정시험장비 > 전압/전류/전력측정시험장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2024-03-08

취득금액
54,779,940원
인증정보
없음
기능
차세대 고전력의 SiC 반도체의 IV, CV를 측정, 분석하는 프로브스테이션. 반도체 특성 분석을 위한 용도로 Wafer/ Chip 등의 전기적 특성을 확인할 수 있는 장비
장비 상세설명
차세대 전력 반도체 박막 및 Wafer, Pakage의 전류와 전압의 전기적 특성를 분석하는 장치

이용안내

사용형태
기관의뢰

설치형태
고정형
사용료 형태
기타

장비 사용료
[Hr] 80,000원

장비설명

소재 및 프로세스 개발에 대한 연구, 신회성 및 고장 분석 연구를 가속화 할 수 있는 장비이며, 부가적인 기능으로 관련된 외부기기 즉 Probe station, LCR Meter, Pulse Generator, 스위칭 시스템 등을 제어하는 기능이 있어 모든 반도체 소자 개발 및 분석이 가능하다.

장비 구성 및 성능

웨이퍼 크기: 최대 8인치(200mm) 지원
측정 모드: RF(최대 50GHz) 및 DC 신호 측정
위치 조정 정밀도: ±0.5µm
온도 범위: -40°C ~ 200°C, 온도 안정성 ±0.1°C
데이터 처리 속도: 최대 10,000 포인트/분
노이즈 레벨: 0.1fA 이하의 저노이즈 설계
호환성: 다양한 픽스처 및 외부 계측 장비와 통합 가능

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