Scienta Omicron
ARPES cluster
11년
주장비
분석
화합물전처리/분석장비 > 분광분석장비 > 달리 분류되지 않는 분광분석장비
공동활용서비스
2025-06-04
5,014,901,040원
없음
- 전자 에너지 측정, 입사각 및 방출각 제어, 저온 상태에서의 전자 상태 관측
- 고온 초전도체, 토폴로지 절연체, 2차원 물질(그래핀 등) 등의 전자 구조 연구 활용
- 양자 물성 연구, 신소재 개발, 표면 및 계면 전자 구조 해석에 유용함.
전자 검출기 (Hemisphere Analyzer)
→ 방출된 전자의 운동량 및 에너지를 측정하여 전자 구조 추출
UHV 챔버 (Ultra-High Vacuum Chamber)
→ 10⁻¹⁰ Torr 수준의 진공 유지로 오염 없는 표면 분석 가능
제어 및 데이터 분석 소프트웨어
→ 복잡한 측정 및 해석 자동화 및 시각화
기관의뢰
고정형
시간별
[Hr] 75,000원
- 표면 및 전자 상태를 정밀하게 측정하는 데 특화된 복합 장비
- 주로 재료의 전도 특성, 양자 물성, 위상학적 특성 등을 규명하기 위한 실험에 사용
- 고해상도 측정 및 다양한 온도·각도 제어 가능
1. 장비의 구성(Configurations of Goods)
1.1.1. ARPES system 1 set
1.1.2. HAXPES system 1 set
1.1.3. Ridial Distribution Chamber 1 set
1.1.4. ALD 1 set
2. 장비 성능
- 에너지 분해능 (Energy Resolution) - 1.8 meV
→ 전자 상태의 미세한 에너지 차이도 구분 가능하다는 뜻으로, 양자 물성 연구에 매우 중요
- 각도 분해능 (Angular Resolution) - <0.1° 수준의 정밀한 각도 조절이 가능
→ 전자의 운동량(k-space) 정보를 매우 정확하게 측정할 수 있음
→ 정밀한 밴드 구조 맵핑(Fermi surface mapping)에 필수