두성기술

AEC-Q101

- Targe Device : FET, Power FET, IGBT, TR, LED 시험이 가능한 시스템
- Vg voltage stress range : Max + 100V
- Vg voltage reading accuracy : ± 2.0% (@F.S) V
- Vg monitor and power isolation for all DUT
- Available socket type : TO220, TO247 and etc
- DUTs density : 40 ea/board (Max 6 SLot)
- DUT current reading range : 0 ~ 100uA
- DUT current reading accuracy : ≤0.1uA
- Current monitor and power isolation for each DUT
- Oven temperature : RT ~ 200℃

파워 반도체 소자의 온도 및 전기적 특성을 평가하여 반도체 소자의 성능 · 신뢰성 검증에 활용되며 MOSFET, IGBT 및 GaN, SiC 기반 화합물 반도체 전기적 특성(문턱전압, 브레이크다운 전압, 게이트-소스 누설전류, 드레인-소스 누설전류, 드레인-소스 온 저항 등) 평가에 활용됨