아이작리서치

없음

본 장비는 반도체 소재를 원자 단위로 정밀하게 제어하여 식각하기 위한 장비로 라디칼 또는 이온을 원자 수준에서 박막에 흡착시킨 후 기판에 바이어스를 가하여 이온을 충돌시켜서 표면에서 원자를 식각하는 장비임. 최근 반도체 패턴의 스케일링에 따라 높은 선택비 및 종횡비 구조에서의 식각을 요구하고 있는데 구축 장비는 다양한 나노 단위의 초정밀 박막 식각에 응용 가능한 대응 장비로 고선택비, 고종횡비의 패턴을 구현할 수 있는 장비임

1) 반응 chamber : 8 inch 웨이퍼 사이즈 전용의 showerhead type PE-ALE 장비
2) Showerhead kit : Dual showerhead (temp~<250 ℃)
3) Substrate temperature max ~400 ℃, RF Substrate bias
4) Gas reactant supply lines : O₂, N₂, Ar, CF₄, C₄F8, CHF₃, NF₃ (종류 변경 가능)
5) RPS operating power max ~4500 W
6) 반도체 및 단결정 웨이퍼 기판 등을 사용할 수 있어 호환성을 높힐 수 있음