FEI
Helios 5 Laser
11년
주장비
분석
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2024-07-23
1,698,207,600원
없음
○ 반도체/IT 부품 및 패키지 구조 분석, PCB 기판, 금속 소재 등은 빔 에너지가 큰 레이저 빔을 통해서만 대면적 분석 작업이 가능
○ 미세구조 작업인 반도체 칩 회로 수정 및 파우더 등의 소재 분석은 Ga Ion Beam을 통한 Fine milling으로만 가능하며, EDS를 통한 구조 및 표면의 성분분석 평가도 가능
○ 레이저-갈륨집속 이온현미경은 FIB(Focused Ion Beam) 기술과 레이저유닛이 장착된 고해상도 주사전자 현미경(FE-SEM)으로, 다층화된 반도체 단면구조, 회로수정 및 성분 분석을 위한 장비
○ Ga FIB에 레이저 Beam이 장착된 장비로, 대면적 Section을 레이저로 밀링(100um~수mm)하고, Ga으로 Fine milling(100um이내)을 진행하여 분석시간을 단축하면서 대면적 분석이 가능한 최신 분석장비
기관의뢰
고정형
시간별
[Hr] 319,000원
○ 레이저-갈륨집속 이온현미경은 FIB(Focused Ion Beam) 기술과 레이저유닛이 장착된 고해상도 주사전자 현미경(FE-SEM)으로, 다층화된 반도체 단면구조, 회로수정 및 성분 분석을 위한 장비
○ Ga FIB에 레이저 Beam이 장착된 장비로, 대면적 Section을 레이저로 밀링(100um~수mm)하고, Ga으로 Fine milling(100um이내)을 진행하여 분석시간을 단축하면서 대면적 분석이 가능한 최신 분석장비
○ Laser unit
1) Wave Length : 515nm 이상
2) Current : 1mA 이상
3) Spot size : 15µm 이하
4) Beam position accuracy : 250nm 이하
○ Electron Optics
1) High stability Schottky thermal field emitter type
2) Electron Beam Resolution(at 15keV) : 0.9nm 이하
3) Electron Beam Energy : 20eV ~ 30KeV 이상
4) Electron Beam Current : 5pA ~ 100nA 이상
○ Ion Optics
1) Ion Source : Ga Liquid Metal Ion Source
2) Resolution(at 30keV) : 4nm 이하
3) Ion beam Energy : 500eV ~ 30KeV 이상
4) Ion beam Current : 1pA ~ 100nA 이상
5) Multi Gas Injection system GIS : Pt, W, C 포함
○ Stage
1) Fully motorized stage : Eucentric goniometer stage
2) X, Y stage : 100x100mm 이상
3) Z : 10mm motorized 이상
4) Tilt : -10° ~ +60° 이상
5) rotation : 360° continuous
6) X, Y repeatability : 1μm 이하
7) Specimen weight : Up to 500g 이상