ULVACPHI INC
PHI GENESIS
10년
주장비
분석
화합물 전처리·분석장비 > 분광분석장비 > X-선광전자분광기
2024-07-23
920,000,000원
없음
o 공기와 접촉하지 않는 방식의 분석
o 엑스선 최소 크기 : 7.5um
o 엑스선 파워(W)와 전압(V) : 7.5um 0.8W, 15kV / 10um 1.25W, 15kV / 100um 100W, 20kV
o 소재의 결합 에너지를 분석하여 상태를 평가
o 시료에 엑스선을 조사하여 발생하는 전자를 측정
o 분석 시료를 이루고 있는 원소의 핵심부 전자 또는 외각 준위 전자를 방출시킨 후, 방출된 전자의
운동에너지를 측정하여 원소의 고유한 특성 중 하나인 핵심부 전자의 결합 에너지를 측정할 수 있음
o 일반적으로 시료 표면의 성분과 분자의 결합 상태 등에 대한 정성 분석 및 정량 분석 가능
o 시료에 손상을 가하지 않고 분광학적인 방법으로 분석 가능
o 에칭을 이용하여 표면의 깊이 분석 및 특정 원소의 수직적 분포의 분석이 가능
기관의뢰
이동형
시간별
[Hr] 57,000원
o 분석 시료를 이루고 있는 원소의 핵심부 전자 또는 외각 준위 전자를 방출시킨 후, 방출된 전자의
운동에너지를 측정하여 원소의 고유한 특성 중 하나인 핵심부 전자의 결합 에너지를 측정할 수 있음
o 일반적으로 시료 표면의 성분과 분자의 결합 상태 등에 대한 정성 분석 및 정량 분석 가능
o 시료에 손상을 가하지 않고 분광학적인 방법으로 분석 가능
o 에칭을 이용하여 표면의 깊이 분석 및 특정 원소의 수직적 분포의 분석이 가능
◦ Basic concept & Instrument key points
- Highest performance for small area & large area analysis with highest throughput, Scanning XPS microprobe
◦ Analysis Area
- Largest Area; 1400 x 1400μm
- Smallest Area; ≤7.5μm
◦ X-ray Beam Size
- Continuously variable from 7.5μm to 200μm according to X-ray power(W) & voltage
- Preset mode; 7.5μm 0.8W 15KV10μm 1.25W 15KV 15μm 2.5W 15KV20μm 4.5W 15KV50μm 12.5W 15KV 100μm 25W 15KV200μm 50W 15KV100μm 100W 18KV-HP 100μm 100W 20KV-HP
◦ Energy Resolution
- Ag 3d 5/2 FWHM : ≤0.48 eV
- C1s FWHM : ≤0.82 eV
◦ Large Area Performance (XPS Elemental Sensitivity) for Ag Standard sample
- >2,000,000 cps at 1.0 eV FWHM, 0.1 x 1.4mm area with 100 Watts
- >3,000,000 cps at 1.3 eV FWHM, 0.1 x 1.4mm area with 100 Watts
◦ Small Area Performance (XPS Elemental Sensitivity for Standard Ag sample)
- ≥20 Kcps @ 10 μm, 0.60 eV FWHM
- ≥40 Kcps @ 15 μm, 0.60 eV FWHM
- ≥80 Kcps @ 20 μm, 0.60 eV FWHM
- ≥40 Kcps @ 10 μm, 1.0 eV FWHM
- ≥80 Kcps @ 15 μm, 1.0 eV FWHM
- ≥160 Kcps @ 20 μm, 1.0 eV FWHM
◦ Instrument Hardware (Sample platen)
- 128 Channel
◦ Instrument Hardware (Sample imaging)
- By SXI (like SEM) and CCD camera.
◦ (Field of View)
- 1,400 μm x 1,400 μm of SXI image by scanned X-ray beam and 75 mm x 75 mm optical view image
◦ Instrument Hardware (Sputter Ar ion gun)
- Beam energy : 0.1 KeV – 5 keV
- Max. beam current density : ≤ 3 mA/cm2@5KeV
- Max. beam current : 5 uA
◦ Differential Pressure
- Less than 6.7 x 10-6Pa