Applied Materials
P5000
9년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비
2023-04-20
580,800,000원
반도체 제조시 진공 Chamber에 O2 및 TEOS[Si(OC2H5)4] , SiH4, NH3, N2 가스를 주입하고 RF Power를 인가하여 플라즈마를 형성하여 웨이퍼에 절연막을 제조하는 장비이다 . 3개의 chamber에 가스를 주입하여 플라즈마 상태애서 웨이퍼에 절연막이나 층간절연막을 제조하는장비로 SiC 기판 공정에 사용된다.
1. 플라즈마박막증착기는 진공 Chamber에 주입된 가스를 이온화 시켜 Plasma를 형성하여 층간 절연막을 제조한다. 2. 플라즈마박막증착기는 가스를 주입하여 플라즈마 상태에서 SiO2, BPSG, SiN을 제조하는 장비이다.
3. 기판정보 :
1) 실리콘 기판 (Si Wafer)
- 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm
- 기판두께(Wafer Thickness) : 675±20㎛
- 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type)
2) 실리콘 카바이드 기판 (SiC Wafer)
- 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm
- 기판두께(Wafer Thickness) : 350±25㎛
- 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type)
4. 플라즈마 발생기
1) RF Power (High Frequency) : 1.0 ~ 1.25KW,13.56MHz
3) RF Power (low Frequency) : 500W, 350KHz
5. 진공챔버(Vacuum Chamber)
1) 주 식각챔버 압력: < 1.0*10-2 torr
- 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤10mT/min
2) 로드락 챔버 압력 : < 2.0*10-2 torr
- 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤20mT/min
6. 온도 조절
1) Heater 온도 : 300~480℃
기관의뢰
고정형
건별
[EA] 100,000원
플라즈마박막증착기는 반도체 제조시 진공 Chamber에 O2 및 가스를 주입하고 RF Power를 인가하여 플라즈마를 형성하여 웨이퍼에 절연막을 형성하는 장비이다
장비는 Cluster 장비로 세개의 chamber로 구성되어 있습니다. 이를 위해 본 장치는 wafer 를 loading 하는 Loader와 웨이퍼를 이송하는 자동 반송시스템과 3개의 진공 chamber 그리고 모든 것을 자동으로 운전 할 수 있는 PC를 갖추고 공정을 진행하고 진행 data를 저장한다
1. 용도 : 진공 Chamber에 주입된 가스를 이온화 시켜 Plasma를 형성하여 층간 절연막을 증착한다.
2. 기판정보 :
1) 실리콘 기판 (Si Wafer)
- 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm
- 기판두께(Wafer Thickness) : 675±20㎛
- 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type)
2) 실리콘 카바이드 기판 (SiC Wafer)
- 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm
- 기판두께(Wafer Thickness) : 350±25㎛
- 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type)
3. 플라즈마 발생기
1) RF Power (High Frequency) : 1.0 ~ 1.25KW,13.56MHz
3) RF Power (low Frequency) : 500W, 350KHz
4. 진공챔버(Vacuum Chamber)
1) 주 식각챔버 압력: < 1.0*10-2 torr
- 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤10mT/min
2) 로드락 챔버 압력 : < 2.0*10-2 torr
- 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤20mT/min
5. 온도 조절
1) 전극 온도 : 300~480℃