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장비정보

제작사
FEI
모델 명
Verios5 UC

내용연수
10년
구분
주장비

용도
분석
표준 분류
광학·전자 영상장비 > 현미경 > 주사전자현미경

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2024-06-16

취득금액
974,971,223원
인증정보
없음
기능
전고체전지용 시편의 표면 형태나 미세구조를 고분해능 이미지로 관찰하는 장비
기타 보조장치(EDS, EBSD)와 결합하여 시편의 표면 조성 분석 및 결정 구조와 방향을 확인
자체 개발한 in-situ 분석 모듈을 이용하여 전지 작동 환경(압력 인가)을 모사한 환경에서 실시간 분석이 가능
대기 민감 소재인 전고체전지 시편을 공기 및 수분 노출 없이 시편 전처리(ion milling)부터 표면 관찰, TEM 시편 제작까지 올인원 분석이 가능
장비 상세설명
1. Electron beam resolution
- 0.6 nm at 2 ~ 15 kV
- 0.7 nm at 1 kV
- 1.0 nm at 500 V
2. Electron beam parameter space
가. Beam current range: 0.8 pA to 100 nA
나. Accelerating voltage range: 350 V ~ 30 kV
다. Landing energy range: 20 eV ~ 30 keV
3. Detectors
- ETD, TLD, MD, ICD, Intergrated beam current measurement, Nav-Cam+, IR-camera, DBS
4. Stage and sample
가. Type: Door mounted, high precision 5-axis motorized stage, with XYR axis piezo driven
나. XY: 150 x 150 mm², Tilt: -10° / 60°
다. Max. sample height: 55 mm to eucentric point
라. Max. sample size: 150 mm diameter
5. EDS
가. Sensor size: 70 mm²
나. Resolution: 127 eV at Mn Kα at 10k 첸
다. Detection range: AL L (73 eV) ~ Am
6. EBSD
가. Data collection rates: ~ 4500 indexed PPS
나. Camera: CMOS

이용안내

사용형태
기관의뢰

설치형태
고정형
사용료 형태
시간별

장비 사용료
[Hr] 50,000원

장비설명

다양한 보조 장비와 결합하여 전고체전지 소재의 표면 분석, 조성 분석, 구조 분석, 실시간 계면 분석 등 전고체 전지용 고체전해질의 연구 및 개발에 필수적인 장비로써 전고체전지용 시편의 표면 형태나 미세구조를 고분해능 이미지로 관찰하는 장비임. 기타 보조장치(EDS, EBSD)와 결합하여 시편의 표면 조성 분석 및 결정 구조와 방향을 확인하고 자체 개발한 in-situ 분석 모듈을 이용하여 전지 작동 환경(압력 인가)을 모사한 환경에서 실시간 분석이 가능함.
대기 민감 소재인 전고체전지 시편을 공기 및 수분 노출 없이 시편 전처리(ion milling)부터 표면 관찰, TEM 시편 제작까지 올인원 분석이 가능함.

장비 구성 및 성능

<주장비>

1) SEM
(1) Electron Beam Resolution
- 0.6 nm at 15 keV or less
- 0.6 nm at 2 kV or less
- 0.7 nm at 1 kV or less
- 1.0 nm at 500 V (with ICD) or less
- 1.2 nm at 200 V (with ICD) or less

(2) Electron Beam Energy : 200 V to 30 KV or less

<부속장비>

1) Vacuum System
(1) Include scroll pump, turbo pump, ion getter pump or more
(2) Oil free vaccum system
(3) Chamber vacuum : < 9 x 10-3 Pa

2) Specimen stage
(1) X, Y : 150 mm or wider
(2) Z : 10 mm motorized or better
(3) Tilt : -10° to +60° or wider
(4) rotation : 360° continuous

3) Energy Dispersive Spectrometer (EDS)
(1) Detection range: Be(4) ~ Americium(95)
(2) Resolution: > 127 eV
(3) Window thickness: < 100nm (Si3N4 window)
(4) Sensor: 70mm²
(5) Peak to background >15,000:1
(6) Capable of handling input count rates >2,000Kcps and throughput of >850Kcps.

4) Electron Backscatter Diffraction (EBSD)
(1) Orientation precision: < 0.1
(2) Indexing speed: >4,500 pps at 120 x 120 resolution
(3) Operation beam current: < 100pA

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