Applied Materials
P5000
9년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2023-04-21
678,975,000원
건식식각기는 주 반응성 챔버별로 Poly-Si, SiO2, SiN 3가지 Film을 식각하는 장비 임.
3개의 챔버에 식각 막질별로 서로 다른 반응성 가스를 이용하여 플라즈마 상태에서
웨이퍼에 설계된 미세 선폭의 Poly-Si, SiO2, SiN 막질을 식각하는 장비로 탄화규소
(SiC) 기판 전용 공정에 사용 된다.
1. 용도 : 건식식각기는 주 반응성 챔버별로 Poly-Si, SiO2, SiN 3가지 사양을 모두 만족할 수 있는 장비.
2. 기판정보(Wafer Status)
1) 실리콘 기판 (Si Wafer)
- 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm
- 기판두께(Wafer Thickness) : 675±20㎛
- 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type)
2) 실리콘 카바이드 기판 (SiC Wafer)
- 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm
- 기판두께(Wafer Thickness) : 350±25㎛
- 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type)
3. 플라즈마 발생기
1) MERIE 플라즈마 Source
2) 파워 범위(Power Range) : 100watt ~ 900watt
3) RF Power 발생기(RF Generator) : 13.56MHz, MAX 1,250watt출력
4. 진공챔버(Vacuum Chamber)
1) 주 식각챔버 압력: ≤1mT
- 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤2mT/min
2) 로드락 챔버 압력 : ≤10mT
- 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤10mT/min
5. 온도 조절
1) 전극 온도 : 0℃~50℃ (별도의 칠러로 제어)
2) 챔버 측벽 온도: 30℃~80℃ 전기 히터와 Heat & Exchanger
3) 온도 컨트롤 범위: ±0.5℃
기관의뢰
고정형
건별
[EA] 300,000원
건식식각기는 주 반응성 챔버별로 Poly-Si, SiO2, SiN 3가지 Film을 식각하는 장비 임.
3개의 챔버에 식각 막질별로 서로 다른 반응성 가스를 이용하여 플라즈마 상태에서
웨이퍼에 설계된 미세 선폭의 Poly-Si, SiO2, SiN 막질을 식각하는 장비로 탄화규소
(SiC) 기판 전용 공정에 사용 된다.
이를 위해 본 장치는 웨이퍼를 이송하는 자동 반송시스템과 3개의 진공챔버, 플라
즈마 발생장치, 가스공급 및 배기시스템, 식각 종료점을 검출하는 장치 그리고 모
든 것을 자동으로 운전할 수 있는 PC를 갖추고 데이터를 저장 한다.
1. 용도 : 건식식각기는 주 반응성 챔버별로 Poly-Si, SiO2, SiN 3가지 사양을 모두 만족할 수 있는 장비.
2. 기판정보(Wafer Status)
1) 실리콘 기판 (Si Wafer)
- 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm
- 기판두께(Wafer Thickness) : 675±20㎛
- 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type)
2) 실리콘 카바이드 기판 (SiC Wafer)
- 기판크기(Wafer Size) : 150mm±0.2mm
- 기판두께(Wafer Thickness) : 350±25㎛
- 기판플랫존(Wafer Flat Zone): 47.5mm±0.25mm㎛(JEIDA Type)
3. 플라즈마 발생기
1) MERIE 플라즈마 Source
2) 파워 범위(Power Range) : 100watt ~ 900watt
3) RF Power 발생기(RF Generator) : 13.56MHz, MAX 1,250watt출력
4. 진공챔버(Vacuum Chamber)
1) 주 식각챔버 압력: ≤1mT
- 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤2mT/min
2) 로드락 챔버 압력 : ≤10mT
- 허용 리크 비율(Leak Rate) : ≤10mT/min
5. 온도 조절
1) 전극 온도 : 0℃~50℃ (별도의 칠러로 제어)
2) 챔버 측벽 온도: 30℃~80℃ 전기 히터와 Heat & Exchanger
3) 온도 컨트롤 범위: ±0.5℃