Hitachi
IM4000 II
10년
주장비
분석
기계가공·시험장비 > 성형/가공장비 > 달리 분류되지 않는 성형/가공장비
2023-11-08
166,937,000원
해당없음
- 표면처리된 수송기기 부품 코팅층의 조직 분석을 위한 정밀 전처리
- 표면의 기계적 연마에 의한 손상 제거 시편 퀄리티의 영향이 크게 미치는 결정방위 분석에 활용
- 금속, 비금속, 섬유, 반도체, 세라믹, 바이오, 의료 등의 다양한 산업의 소재부품 정밀 분석에 활용
‧ 본 장비는 Ar가스를 이용한 이온빔을 표면처리 코팅층에 조사하여 시편의 표면 및 단면을 nm~mm 영역에서 식각/가공하고, 이를 통해 전자현미경에서 관찰하고자 하는 부분에 대한 단면을 보다 깨끗하고 세밀/정확하게 분석하게 하는 전처리 장비로, 주사전자현미경(SEM), 집속이온빔장비(FIB) 및 EPMA 와의 연계 분석이 가능하며 다양한 시편의 분석에 응용이 가능
‧ 본 장비는 통상적으로 사용되는 대부분의 재료에 대한 가공이 가능하기 때문에 표면 코팅층의 조직을 분석하고자 하는 수요업체의 다양한 소재 및 부품에 대해 대응이 가능
‧ 본 장비는 극저온에서의 가공이 가능하여 연질시편 및 생체시편에 단면분석에서 시편에 이온빔에 의한 열적 데미지를 최소화하기 때문에, 최근 전기차 등의 친환경 자동차 산업 및 도금/표면처리 분야 뿐만 아니라, 초정밀 가공으로 제작되는 반도체, 의료분야 등에서도 본 장비를 활용할 수 있음
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
[Hr] 10,000원
① 표면처리된 코팅층의 단면/표면 조직 분석을 위한 전처리 장비
가속된 이온빔을 시편에 조사하여 단면가공을 진행
가속전압, 가공시간을 제어하여 시편을 정밀하게 가공
주사전자현미경(SEM), 집속이온빔장비(FIB) 및 EPMA 와의 연계 분석이 가능
② 이온빔을 시편에 조사하여 시편의 표면∙단면을 nm~mm 영역에서 가공
관찰하고자 하는 부분에 대한 단면을 보다 깨끗하고 세밀/정확하게 분석
※ 기존 기계적 연마법 : 초당 mm 단위로 가공 관찰 부위의 정밀한 제어가 어려움
* Gun unit
- Accelerating voltage : 0 to 6㎸
- Discharge Voltage : 0 to 1.5kV
- Discharge current : 0 to 560㎂
- Ion beam diameter : about 500㎛
- Milling rate : 500㎛/hr on Si
- Ar gas flow control : High accuracy Mass flow control
* Stage (Cross section)
- X movement : ±7㎜
- Y movement : 0~3㎜
- Sample rotation : ±3˚
- Swing angle : ±15˚, ±30˚, ±40˚
- Sample swing speed : OFF + 1 speed
- Max. sample size : 20㎜W x 12㎜D x 7㎜H
* Stage (Flat Milling)
- X movement : 0 to 5㎜
- Tilt : 0 to 90˚
- Sample rotation : ±5˚
- Swing angle : ±60˚, ±90˚ (Selectable)
- Sample rotation speed : 1r/m, 25r/m (Selectable)
- Sample swing speed : 1r/m, 10r/m (Selectable)
- Max. sample size : 50㎜Φ x 25㎜H