SPM
NSR-1505i6A
9년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 리소그래픽장비
2024-01-11
487,788,980원
없음
- 0.8um 패턴 형성 공정
- Si, 사파이언 기판을 활용한 노광 공정
- 반도체 및 화합물반도체 패턴 형성 공정
- 2, 4인치 웨이퍼 공정 가능 (메인은 4인치 공정)
- 대표적인 예 : 10um급 마이크로LED 소자 제작
- 본 장비는 i6(resolution 0.8 um) 장비를 LED 제조 공정에 맞게 refurbish한 장비
- 웨이퍼에 포토 마스크의 패턴을 정렬 시킨 후 I-Line 단일 UV 광원을 광학계를 이용하여 5분의 1로 축소 포토레지스트(photo-resist) 패턴을 형성시키는 반도체 포토 공정 장비
- 축소 패턴 노광의 높은 해상력과 높은 수율로 양산용 반도체 공정 가능
기관의뢰
고정형
시간별
[Hr] 200,000원
- 본 장비는 i6(resolution 0.8 um) 장비를 LED 제조 공정에 맞게 refurbish한 장비
- 웨이퍼에 포토 마스크의 패턴을 정렬 시킨 후 I-Line 단일 UV 광원을 광학계를 이용하여 5분의 1로 축소 포토레지스트(photo-resist) 패턴을 형성시키는 반도체 포토 공정 장비
- 축소 패턴 노광의 높은 해상력과 높은 수율로 양산용 반도체 공정 가능
○ 본 장비는 웨이퍼에 포토 마스크의 패턴을 정렬 시켜 I-Line 단일 UV 노광을 통해 5분의 1로 축소 패턴을 형성시키는 반도체 포토 공정에 적용
○ 장비 주요 성능 항목
- Resolution (해상력) : 0.8 μm 이내
- 웨이퍼 척 평탄도 : ≦ 3.0um
- Chip Leveling Accuracy (칩 평탄도 재현성) : ≦ 0.3 μm
- Focus : ≦ 1.0 μm
- Stepping Precision : ≦ 0.1 μm
- UV 광원 Intensity : ≧ 400 mW/cm2
- UV 광원 Uniformity : ≦ ± 3%
- Reticle Blind Accuracy : +0.4 ~ +0.8 mm
- Reticle Rotation : ≦ 0.02μm
- Orthogonality : 0.02um
- Telecentricity : ≦ 0.03μm / 2.0um
- Lens Distortion : ≦ 0.13μm
- Pre Alignment Accuracy : ≦ 0.15um
- Overlay Accuracy(LSA) (스테이지 정밀도) : ≦ ± 0.15um