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장비정보

제작사
(주)씨엔원
모델 명
Control System ICP Reactive Ion Etching

내용연수
9년
구분
주장비

용도
교육
표준 분류
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2024-12-05

취득금액
93,000,000원
인증정보
없음
기능
건식식각기, Inductively Coupled Plasma-Reactive Ion Etcher(ICP-RIE)는 모든 반도체 소자 제작공정에서 필요한 소자 간의 전기적 고립 또는 금속층 간의 전기적 분리를 위한 유전 물질 (실리콘 산화막 및 질화막)과 전극 및 반도체 물질의 패터닝을 위해 필수적인 반도체 공정 플랫폼의 핵심 장비임
장비 상세설명
반도체 소자 제작에 필수적인 비정질/폴리 실리콘(a-/poly- Si), 실리콘 산화막(SiO2) 및 실리콘 질화막(SiNx) 등의 유전물질과 갈륨 아세나이드 (GaAS), 갈륨 질화막 (GaN), 알루미늄 산화막(Al2O3), 하프늄 산화막(HfO2) 박막의 식각을 위한 공정 기기임

이용안내

사용형태
직접사용

설치형태
고정형
사용료 형태
기타

장비 사용료
[Hr] 1원

장비설명

반도체 소자 제작에 필수적인 비정질/폴리 실리콘(a-/poly- Si), 실리콘 산화막(SiO2) 및 실리콘 질화막(SiNx) 등의 유전물질과 갈륨 아세나이드 (GaAS), 갈륨 질화막 (GaN), 알루미늄 산화막(Al2O3), 하프늄 산화막(HfO2) 박막의 식각을 위한 공정 기기임

장비 구성 및 성능

1. Control System
-. System Frame 구성
-. Software [CN1 Standard]

2. I/O 구성
-. Analog Input : 8Ch [2EA]
-. Analog Output : 8Ch [2EA]
-. TC : 4Ch [2EA, MFC 외]
-. Digital Input : 8Ch [2EA]
-. Digital Output : 8Ch [3EA]
-. Board : 28Ch [1EA]
-. Temp Controller : 4Ch [4EA]

3. I/O 구성 기준
-. Process Gas : 2Sets
-. Heater Ch : 15EA
-. MFC : 6EA
-. Pneumatic Valve Ch : 32EA

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