㈜아이작리서치
iOV dX2 PE-ALD System
4년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 원자층증착장비
2020-09-29
129,000,000원
- 최대 6“ 기판 사용으로 하고 추후 확장 가능성 고려하여 구성.
- 반응기 내부에서 Oxide & Metal Source 주입 장치 및 유량 제어 장치로 제어됨.
- 반응기 온도는 (50℃~450℃) 재질은 AL603 이며 저온 공정이 기능 포함.
- 히터 (208V 600W) 최대온도 500℃ / TC Type K-type 히터 내장 type으로 함.
- 반응기 재질 (AL603) 표면처리 및 표면조도 처리하여 제작.
- Gas line 재질 (316L-EP Tube) size 1/4“ 이며 오토용접으로 제작.
- Gas line 온도제어는 리본히터를 이용하여 제어가 가능하도록 제작.
- 반응기는 Dual Shower Head Type이며 외부 히터기능까지 포함하여 구성.
- 반응기는 균일한 공정위하여 Uniform Gas Shower Head 구조 이며 Source와 반응
- 가스가 Shower Head 내에서의 기상반응을 억제할 수 있는 구조로 제작.
- 반응기는 Plasma 공정을 고려한 구조가 되어야 한다. (절연 처리)
- Load-Lock Chamber는 Wafer 이송장치를 고려하여 구성.
- 50℃~ 450℃ 온도 사이에서 Plasma ALD 공정 또는 ALD공정을 이용하여 소자 개발과 다층 복합막 원자층 증착을 할 수 있도록 되도록 구성된 설비임.
- 증착에 필요한 Gas 공급 방식 Solid Source & Liquid Source 등을 사용자가 공정 유량, 공정온도, 공정시간, 공정압력 등을 선택하여 Oxide & Meta 등에 증착 가능 설비
- 공급 방식은 Gas 유량을 MFC 제어를 통해 제어가 되며 내부 압력은 0.1~10 tor 사이에서 선택한 압력에서 진행 하게 되며, 또한 선택 내부 온도는(온도 범위 50℃~ 450℃) 빠른 시간에 균일성을 맞추어야 하며 공정 Gas line 흐름과 플라즈마 제어에 연결을 할 수 있도록 구성이 된 설비임.
기관의뢰
고정형
기타
[Hr] 150,000원
- 50℃~ 450℃ 온도 사이에서 Plasma ALD 공정 또는 ALD공정을 이용하여 소자 개발과 다층 복합막 원자층 증착을 할 수 있도록 되도록 구성된 설비임.
- 증착에 필요한 Gas 공급 방식 Solid Source & Liquid Source 등을 사용자가 공정 유량, 공정온도, 공정시간, 공정압력 등을 선택하여 Oxide & Meta 등에 증착 가능 설비
- 공급 방식은 Gas 유량을 MFC 제어를 통해 제어가 되며 내부 압력은 0.1~10 tor 사이에서 선택한 압력에서 진행 하게 되며, 또한 선택 내부 온도는(온도 범위 50℃~ 450℃) 빠른 시간에 균일성을 맞추어야 하며 공정 Gas line 흐름과 플라즈마 제어에 연결을 할 수 있도록 구성이 된 설비임.
플라즈마가 장착된 8인치 사이즈의 원자 단위 증착기
- 반응 Chamber : 8“ 사이즈의 Showerhead PE-ALD 장비
- Susceptor heater : Wafer temp : 450
- Showerhead kit : Dual Showerhead (temp ~≤150C), Al.
SHD to heater (wafer) gap controllable.
- RF Plasma Kit : 1kW, 13.56MHz, CCP type 1kw
- 반도체 웨이퍼 기판 및 파우더, Bulk 소재도 증착 가능하게 제작되어 호환성 높힘
- 다양한 소프트웨어를 제공하여 실험 자동화가 가능해야하며, 4가지 소스 물질을 변경 가능