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장비정보

제작사
Centrotherm
모델 명
cACTIVATOR 200

내용연수
12년
구분
주장비

용도
시험
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 열처리장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2024-10-14

취득금액
1,970,056,151원
인증정보
없음
기능
웨이퍼 상 도펀트 활성화를 고온 열처리
장비 상세설명
○ 원리 및 특징

- 메탈 프리 디자인과 히팅시스템을 통한 2000°C 까지의 고온 열처리가 가능

- 8인치 대구경 (200 mm) 웨이퍼 호환

이용안내

사용형태
기관의뢰

설치형태
고정형
사용료 형태
건별

장비 사용료
450,000원

장비설명

○ 8인치 일괄공정 지원을 위한 핵심공정인 이온주입공정 이후 도펀트 안정화의 필수 장비
○ 고온/고에너지 이온주입공정을 통해 잔존하는 도펀트 이온을 약 1,800도 열처리 장비
○ SiC 전력반도체 소자 제작의 핵심 공정인 도펀트 이온주입공정 후 이온활성화를 위한 공정으로 활용

장비 구성 및 성능

1) 장비 구성
- Controller Configuration
- Heat , Gas Supply
- Vacuum pump
- transport system
2) 주요 사양
- Wafer capacity : 75 wafer
- Wafer Size : 6, 8inch
- high temperature up to 2,100°C
- Ambient : H2, Ar
3) Activation in SiC
- Max. Temperature : 1,900 °C
- Max. Ramp Rate : 75K/min(700 °C – 1,500 °C )
- Fate Accuracy : ± 1°C to set/± 5°C TC ref. after 5min(1,400 °C – 1,900 °C )
- Vacuum : 1-900mbar/atmospheric pressure
- Vacuum Accuracy : ±1 mbar

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