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장비정보

제작사
(주)기가레인
모델 명
NeoGEN-MAXIS200H

내용연수
40년
구분
주장비

용도
시험
표준 분류
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2024-04-16

취득금액
1,522,463,600원
인증정보
없음
기능
반도체 제조공정에서 반응성 기체, 이온 등을 이용해 웨이퍼의 특정 부위를 선택적으로 제거하는 장비. 식각 깊이와 속도를 정밀하게 제어할 수 있어 미세한 패턴의 구현이 가능함.
장비 상세설명
8인치 SiC/GaN 기반 전력반도체 소자 금속배선 형성시 식각공정
대구경, 정교한 패턴이 요구되는 식각공정 적용 (Size 8inch, Uniformity <5%)
와이드밴드갭 전력반도체 소자의 저저항 오믹 접촉 형성을 위한 식각공정 적용

이용안내

사용형태
기관의뢰

설치형태
고정형
사용료 형태
건별

장비 사용료
[EA] 60,000원

장비설명

반도체 제조공정에서 웨이퍼 상의 금속 부분을 식각하는 장비로,
- 8인치 SiC/GaN 기반 전력반도체 소자 금속배선 형성시 식각공정
- 대구경, 정교한 패턴이 요구되는 식각공정 적용
- 와이드밴드갭 전력반도체 소자의 저저항 오믹 접촉 형성을 위한 식각공정 적용

장비 구성 및 성능

1) 장비구성
- Process Chamber, Ashing Chamber
- Load lock, Transfer Module
- Pumping System, Gas System,
Temp Control System, Scrubber System
- Control Systems
- Size : 8 inch
2) Asher 사양
- RF generator : 400KHz, 8kW
- Chuck temperature : 250 °C
- Gas configuration : H2O, CF4, N2, O2
3) ICP etcher 사양
- Coil generator : 13.65MHz, 3kW
- Bias generator : 13.65MHz, 1.5kW
- Gas configuration : BCl3, Cl2, N2, CF4, HBr

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