Hitachi
ArBlade5000
10년
주장비
분석
기계가공·시험장비 > 성형/가공장비 > 표면가공기
공동활용서비스
2024-11-28
205,079,616원
없음
이온 밀링 시스템은 아르곤(Ar)이온 빔으로 시료 단면을 매끄럽게 연마(식각)하여 layer특성 및 내부를 고배율로 관찰할 수 있는 전처리 장비로 저온으로 시료를 냉각하여 가공 중 이온빔에 의해 발생되는 시료의 데미지를 최소화하여 가공할 수 있도록 냉각 온도 조절 기능이 포함되어 있고, 홀더를 교체하여 하나의 장비로 단면 및 평면 가공이 가능하다.
시료 표면의 스크래치의 효과적인 제거와 보다 정확한 단면 구조별 계면관찰이 가능하며 표면ㆍ단면의 정밀 가공을 통해 표면·단면의 형상관찰 및 성분분석 결과의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
기관의뢰 직접사용
고정형
건별
[EA] 110,000원
전자현미경 관찰용 시료의 단면 및 평면을 아르곤 이온 빔을 이용하여 매끄럽게 가공함으로서, 전자현미경을 통하여 나노단위의 영역까지 선명하게 관찰할 수 있는 시료전처리 장비입니다. 고배율 상태에서의 시료 단면 구조를 파악하거나 기계 연마에 의한 시료 표면의 스크래치 등을 제거하여 보다 정확한 구조 관찰을 가능하게 해 주는 장비이며, 냉각 장치가 부착되어 있어 시료 가공 중에 발생되는 시료의 열 데미지를 최소화할 수 있습니다.
1. Ion Milling unit
1) Accelerating voltage : Max. 8 kV or more
2) Ion beam diameter : 500 um or more
3) Ar gas flow control : High accuracy mass flow control
4) Milling rate
- Cross-section milling : over than 1,000 um/hr on Si
2. Cross-section milling holder unit
1) X movement : ±6 mm or more
2) Y movement : 0 to 2.5 mm or more
3) Swing angle : ±30° or ±15°, ±30°, ±40°
4) Maximum sample size : 10 mm(W) x 10 mm(D) x 4 mm(H) or more
5) Milling area with wide milling holder unit : 8 mm width or more
3. Stage for flat milling holder unit
1) X movement : 0 to 5 mm or more
2) Maximum sample size : 32 mm diameter x 15 mm(H) or more
3) Milling area : Fully 21 mm diameter or more
4. Cooling temperature control unit
1) Cooling method : LN2
2) LN2 dewar bottle capacity : 800 cc or more
3) Temperature setting range : 0 to –100 ℃ or more
4) Minimum setting temperature : 1 ℃ or less
5. Vacuum system
1) Pumping system
- Main pump × 1 + Sub pump × 1 or more