(주)씨엔원

없음

1. 디스플레이 공정 중 Oxide TFT(Thin Film Transistor)에 대한 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 증착 목적
2. IGZO 원자층 증착 공정을 통해 Oxide 공정 연구 및 개발에 활용
3. ALD를 활용한 증착 공정 개발 및 연구에 활용

<장비 구성>
1. Process Chamber 2 set 이상 (Cluster type)
2. Transfer Machine Chamber 1 set
3. Transfer Robot 1 set
4. Load Lock/Unload Lock 1 set
5. O3 system 1 set
6. Scrubber 1 set
<기본 사양>
1. Glass Size : 370mm x 470mm x 0.4~0.7mm
2. 공정 진행 전/후 Glass Damage 없음
3. 안전 인증 : CE 인증 또는 S mark / Canister KCS인증 / 자동소화설비
4. 통신 : CIM 기반 상위 공장자동화시스템 Data 송·수신 필수
5. 제어 : PC 혹은 PLC(PLC일 경우 MITSUBISHI社 적용)
6. 주요 specification 대비 동등 또는 상위 수준 제안 가능
7. 유틸리티는 sub fab. 배치 원칙이며, 필요에 따른 협의 가능