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장비정보

제작사
아바코
모델 명
IGZO SPT (2Process)

내용연수
12년
구분
주장비

용도
시험
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2025-03-20

취득금액
2,163,932,400원
인증정보
없음
기능
1. 디스플레이 전공정 Oxide TFT(Thin Film Transistor)의 활성층을 IGZO(Indium Gallium Zinc
Oxide) 타겟을 이용하여 TFT Active layer를 형성하는데 활용
2. IGZO 스퍼터링 공정을 통해 Oxide 공정 연구 및 개발에 활용
3. Target 조성 변경 등 공정개발을 통해 Oxide 소자의 성능 개선 연구에 활용
장비 상세설명
<장비의 구성>
IGZO 스퍼터는 프로세스 챔버 2개, 트랜스퍼 챔버 1개, 로드락 1개, 로더 로봇 1개, 카셋트 하우징 2개가 주공급 장치로 설치된다. 각각의 프로세스 챔버에는 캐소드 실드 1개, 마스크 실드 1개, 패턴 데포지션 실드 1개, 서스펙터 1개, 서스펙터 핀 20개가 함께 공급된다.
<설비 용도>
디스플레이 전공정 Oxide TFT(Thin Film Transistor)의 활성층을 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 타겟을 이용하여 TFT Active layer를 형성하는데 활용한다. 그리고 IGZO 스퍼터링 공정을 통해 Oxide 공정 연구 및 개발에 활용할 수 있다. 또한 Target 조성 변경 등의 공정개발을 통해 Oxide 소자의 성능 개선 연구에 활용이 가능하다. IGZO 어모퍼스 산화물 반도체의 특징은 지금까지의 액정 방식보다 소비전력을 큰폭으로 절감시킬 수 있다. IGZO의 전자 이동 빈도는 어머퍼스 실리콘의 전자 이동 빈도의 20 ~ 50배에 이르기 때문에 TFT 회로를 소형화하는 것이 가능하다. 때문에 IGZO를 사용한다면 높은 개구화율과 고정밀화하는 것이 가능해진다.
<하드웨어 사양 및 규격>
현장에서 평가할 글라스 사이즈는 370 x 470 mm 이고 공정 진행 전후로 글라스 데미지나 파손 현상이 없어야 한다.설비 안전 인증은 CE Mark 나 S Mark를 반드시 인증받아야 한다. 통신은 CIM 기반 상위 공장자동화시스템 데이터 송·수신이 필수적이다. 시스템의 제어는 PC 혹은 MITSUBISHI社의 PLC로 컨트롤한다.

이용안내

사용형태
기관의뢰 직접사용

설치형태
고정형
사용료 형태
건별

장비 사용료
[EA] 134,000원

장비설명

디스플레이 전공정 Oxide TFT(Thin Film Transistor)의 활성층을 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 타겟을 이용하여 TFT Active layer를 형성하는데 활용한다. 그리고 IGZO 스퍼터링 공정을 통해 Oxide 공정 연구 및 개발에 활용할 수 있다. 또한 Target 조성 변경 등의 공정개발을 통해 Oxide 소자의 성능 개선 연구에 활용이 가능하다. IGZO 어모퍼스 산화물 반도체의 특징은 지금까지의 액정 방식보다 소비전력을 큰폭으로 절감시킬 수 있다. IGZO의 전자 이동 빈도는 어머퍼스 실리콘의 전자 이동 빈도의 20 ~ 50배에 이르기 때문에 TFT 회로를 소형화하는 것이 가능하다. 때문에 IGZO를 사용한다면 높은 개구화율과 고정밀화하는 것이 가능해진다.

장비 구성 및 성능

<구성>
1. Sputter Process Chamber 2ea
2. Transfer Machine Chamber 1ea
3. Load Lock 1ea
4. Loader Robot 1ea
5. Cassette Housing 2ea
<성능사양>
- Film Thickness : ≤5% @ Within Glass 200Å 평가 기준
- 진공도 : < 5.0E-4Pa @ 15hr (P/C 기준)
- Deposition type : 정지성막
- Process gas : Ar, O2
<공정 평가 결과>
Al Dummy 글라스를 최소 6회 스퍼터링 진행시 저항 평균값 (Resitance Average) 및 Uniformity를 안정적인 수준으로 확보해야 한다. 아래 그림은 6장의 글라스에서 측정한 저항 평균값과 Uniformity 결과를 나타낸다. 저항 평균값은 0.05 값을 기준으로 기준치 안에 들어오고 Uniformity 결과 값도 Spec ≤ 7%을 만족하고 결과 데이터도 양호하게 균일도를 보여주고 있다. 증착 막 두께(Thicknesss)의 경우 다음 과같이 결과 데이터를 보여주고 있다.
O2 분압 30% 조건에서 증착 막 두께 1600 (Å)을 타겟으로 스퍼터링을 진행했다.
그리고 평균값은 1661 (Å)의 결과를 나타냈다. 최대값과 최소값간 일정량의 편차는 발생했으나 Uniformity 4.86%로 양호한 결과 값을 확인시켜 주고 있다. 결론적으로 스퍼터링 결과중 중요한 평가 요소인 증착 막 두께 데이터는 Average 1661 (Å) 중반대를 균일하게 형성했고 향후 공정 라아브러리 IP 구축 사업에서 IGZO 스퍼터를 활용한 산화막 증착을 균일하게 전개할 수 있다.

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