엘에이티
주문제작
9년
주장비
분석
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2023-07-27
81,630,000원
없음
- 4~8인치 웨이퍼 대응
- 감광성물질 제거
- 잔여물 제거
- 실리콘 식각
- 실리콘 산화물 식각
- 실리콘 질화물 식각
- 8인치 균일도 10% 이내
• 산소 플라즈마를 이용하여 기판의 오염물, 사진 공정 후 잔여물 및 금속 배선 형성 공정 후 잔여물 등을 효과적으로 제가할 수 시스템으로 범용적으로 활용이 가능함
• 에칭 가스인 SF6, CF4를 이용하여 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등을 등방서 식각 및 미세한 박막 식각용으로 활용이 가능함
• 시스템의 웨이퍼 척의 구조상 조각 샘플부터 8인치 기판까지 다양한 형태의 기판을 사용할 수 있어 활용성이 좋음
기관의뢰
고정형
건별
[EA] 60,000원
- 반응성 이온식각 시스템은 MEMS와 반도체 공정 분야에서 3차원 구조인 5G 안테나, 인터포저, 3차원 반도체, CMOS, 각종 3차원 구조의 MEMS 센서에서 기판의 잔여물, 사진공정 후 잔여물 및 금속 배선 형성 후 잔여물 등을 제거하는데 사용하는 필수 장비임
- 에칭용 가스인 SF6, CF4를 이용하여 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등을 등방성 및 박막 식각을 할 수 있음
• 4 ~ 8인치 기판 사이즈까지 식각 가능
• 식각율 : 1000 ~ 3000 Å/min (SiO2)
• 식각 균일도 : ±7% at 8inch wafer
• 식각 가스 : Ar, O2, CF4, SF6
• Water cooled Bias Chuck
• RF power : 600W, 13.56 MHz