셀코스
Cetus-38LS
5년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터
2023-07-26
761,900,000원
없음
Combinatorial Reactive Sputter 장비는 6인치 및 8인치 wafer에 진공 가열 처리, Sputtering을 통해 금속 전극박막 및 TCO박막의 개별 증착이 가능하며, 일반 Sputter 장치에 비해 동시에 3가지 서로 다른 금속 및 TCO, 산화물의 혼합 및 다층 박막을 형성하여 다중 구조의 박막 증착 가능하므로 박막 증착의 연속성을 가지며, 화합물의 조성비를 달리하여 증착 할 수 있기 때문에 여러가지 조합의 박막 층을 증착 할 수 있는 장비임.
본 장비의 구성은 Load Lock Module과 Process Module이 있으며, Load Lock은 Chamber와 Cassette unit, Vacuum transfer unit으로 구성되며, Process module은 3 Co- Sputtering Unit(Metal, TCO, Oxide)과 개별 및 혼합 증착을 위한 Auto Shutter Unit, 기판의 박막 특성 향상과 균일도 향상을 위한 Rotation Heating Chuck Unit, 자동 공정 압력제어를 위한 Auto Pressure Control Unit으로 구성
기관의뢰
고정형
건별
[EA] 50,000원
Combinatorial Reactive Sputter 장비는 6인치 및 8인치 wafer에 진공 가열 처리, Sputtering을 통해 금속 전극박막 및 TCO박막의 개별 증착이 가능하며, 일반 Sputter 장치에 비해 동시에 3가지 서로 다른 금속 및 TCO, 산화물의 혼합 및 다층 박막을 형성하여 다중 구조의 박막 증착 가능하므로 박막 증착의 연속성을 가지며, 화합물의 조성비를 달리하여 증착 할 수 있기 때문에 여러가지 조합의 박막 층을 증착 할 수 있는 장비임.
1. 본체
1) Loadlock Module
- Substrate size : 6, 8inch Wafer(Edge exclusion : 4mm)
- Cassette capacity : ≥ 25 slots(Up/down Moving Unit 포함)
- Chamber type : Square & Vertical
- Ultimate pressure : ≤ 1.0E-2 Torr (≤12hrs)
- Vacuum transfer unit : single arm type
2) Process Chamber Module
- Chamber type : 3 Co-sputtering type
- Loading capacity : 6, 8inch Wafer(자전 기능 포함 )
- Magnetron Gun : 3sets(Tilt type)
- Target Size : 8inch(round type)
- Co-Sputtering Tilt Gun : 3sets (Cr, ITO, SiO2)
- Thickness Uniformity : ≤ ±5%@150nm
- Deposition Rate : Metal(Cr) : ≥10Å/sec
- Deposition Rate : TCO(ITO) : ≥4.3Å/sec
- Deposition Rate : Oxide(SiO2) : ≥1.0Å/sec
- Uniformity (WIW) : ≤±3%
- Uniformity (RTR) : ≤±3%
- Sputtering power : 5Kw 2set(DC Pulse)
- RF : 1Kw(13.56MHz, Matcher포함)
- SUS Block heater : Max. 450℃ (Heater base)
- Heating uniformity : ≤±5%(@300℃)
- Ultimate pressure ≤ 5.0E-7 Torr (≤24hrs)