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장비정보

제작사
셀코스
모델 명
없음

내용연수
3년
구분
주장비

용도
시험
표준 분류
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2024-12-18

취득금액
2,177,497,200원
인증정보
없음
기능
장비의 주요사양 및 기능
- 크기 370㎜×470㎜의 유리기판 및 유연필름, 웨이퍼(16인치 이하) 기판을 이용하여 무기박막 증착 및 건식식각 공정의 자동화 수행
- 저온스퍼터(Oxide & Metal)
·산화물 및 금속 증착을 각각 분리하여 구축함으로써 교차오염에 따른 박막 내 불순물 혼입을 방지
·저온 스퍼터의 기판온도 R.T.~150℃ 제어를 통한 유연기판 별 공정 최적화 가능
·Swing Magnet 적용을 통한 균일도 확보 및 플라즈마에 의한 기판 손상 최소화
·판상형이 아닌 기둥형 타겟을 이용함으로써 타겟의 사용 효율(80% 이상)을 높이고, 타겟 표면의 불순물인 Nodule 형성을 억제하여 박막 재현성 및 성능 확보 가능
- ICP- RIE
·ICP-RIE의 Bias power 조정을 통한 식각률 및 선택비 제어 가능
·Substrate의 center & edge 위치별 식각 제어 기능을 통한 균일도 확보
장비 상세설명
크기 370㎜×470㎜의 유리기판 및 유연필름, 웨이퍼(16인치 이하) 기판을 이용하여 무기박막 증착 및 건식식각 공정의 자동화 수행
- 저온스퍼터(Oxide & Metal)
·산화물 및 금속 증착을 각각 분리하여 구축함으로써 교차오염에 따른 박막 내 불순물 혼입을 방지
·저온 스퍼터의 기판온도 R.T.~150℃ 제어를 통한 유연기판 별 공정 최적화 가능
·Swing Magnet 적용을 통한 균일도 확보 및 플라즈마에 의한 기판 손상 최소화
·판상형이 아닌 기둥형 타겟을 이용함으로써 타겟의 사용 효율(80% 이상)을 높이고, 타겟 표면의 불순물인 Nodule 형성을 억제하여 박막 재현성 및 성능 확보 가능
- ICP- RIE
·ICP-RIE의 Bias power 조정을 통한 식각률 및 선택비 제어 가능
·Substrate의 center & edge 위치별 식각 제어 기능을 통한 균일도 확보

이용안내

사용형태
기관의뢰

설치형태
고정형
사용료 형태
건별

장비 사용료
[EA] 275,000원

장비설명

크기 370㎜×470㎜의 유리기판 및 유연필름, 웨이퍼(16인치 이하) 기판을 이용하여 무기박막 증착 및 건식식각 공정의 자동화 수행
- 저온스퍼터(Oxide & Metal)
·산화물 및 금속 증착을 각각 분리하여 구축함으로써 교차오염에 따른 박막 내 불순물 혼입을 방지
·저온 스퍼터의 기판온도 R.T.~150℃ 제어를 통한 유연기판 별 공정 최적화 가능
·Swing Magnet 적용을 통한 균일도 확보 및 플라즈마에 의한 기판 손상 최소화
·판상형이 아닌 기둥형 타겟을 이용함으로써 타겟의 사용 효율(80% 이상)을 높이고, 타겟 표면의 불순물인 Nodule 형성을 억제하여 박막 재현성 및 성능 확보 가능
- ICP- RIE
·ICP-RIE의 Bias power 조정을 통한 식각률 및 선택비 제어 가능
·Substrate의 center & edge 위치별 식각 제어 기능을 통한 균일도 확보

장비 구성 및 성능

○ 주요사양
- 구성 : Sputter 2set, ICP RIE 1set, Load Lock 1set, Transfer Module 1set
- Sputter(2sets : Oxide, Metal)
· Substrate size : 370×470㎟(film, wafer 가능)
· Cylindrical Cathode & Sliding open type, Temp. ~300℃
· Pulsed DC Power 10KW
· 증착 두께 균일도 : ±5 %@150㎚
- ICP RIE
· Substrate size : 370×470㎟
· RF 5kW 이상, 13.56MHz & Bias 5kW 이상, 2MHz
· ESC and He Back Side Cooler
· Gas : Ar, O2, CF4, Cl2, BCl3 등
· 식각 균일도 : ±5%@300㎚
○ 시스템 구성
1) Vacuum Loadlock(1set) : 기판 로딩 및 맵핑
2) Transfer Module(1set) : 로봇 암을 이용한 기판 이송
3) Sputtering Process Module(2set) : Oxide & Metal 박막 증착
4) ICP RIE Module(1set) : 에칭가스를 이용한 미세패턴 형성

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