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장비정보

제작사
엔씨디
모델 명
Lucida D200HT

내용연수
5년
구분
주장비

용도
시험
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 원자층증착장비

장비활용범위
공동활용허용
취득일
2023-01-19

취득금액
85,000,000원
인증정보
없음
기능
대표적으로 High-K 산화막 증착에 사용된다. Conformal하고 Uniform한 박막 특성을 가진 HfO2, Al2O3증착에 사용된다. 또한 Cycle구성을 다양하게 가져감으로써 Multilayer구조 및 nanolaminate형성이 가능하다. 대표적인 예시로 Alloy, Doped material, ferroelectric에 사용된다.
장비 상세설명
본 Lucida D200HT는 ALD 공정을 수행하는 장비이다. ALD(Atomic Layer Deposition)란, Wafer 표면에 반응 물질의 자기 제한적 반응에 의해 원자층 한 층씩 성장시키는 증착 방법이다. ALD공정은 두께와 조성의 정밀한 제어가 용이하며, 얇은 막을 형성하는데 유리하다는 장점을 가진다. 이러한 ALD공정은 Sub 3nm 공정에 필수적으로 적용되는 공정이다.

이용안내

사용형태
직접사용

설치형태
고정형
사용료 형태
시간별

장비 사용료
[Hr] 150,000원

장비설명

본 Lucida D200HT는 ALD 공정을 수행하는 장비이다. ALD(Atomic Layer Deposition)란, Wafer 표면에 반응 물질의 자기 제한적 반응에 의해 원자층 한 층씩 성장시키는 증착 방법이다. ALD공정은 두께와 조성의 정밀한 제어가 용이하며, 얇은 막을 형성하는데 유리하다는 장점을 가진다. 이러한 ALD공정은 Sub 3nm 공정에 필수적으로 적용되는 공정이다.

장비 구성 및 성능

1. Main chamber : Precursor, Reactant, Carrier gas가 연결되어 있는 deposition이 이루어지는 공간이다. 즉, sample위에 Precursor, Reactant 물질이 cycle에 따라 올라가는 모든 반응이 이루어지는 chamber이다.
2. Load Lock Chamber : sample이 load되는 chamber로 main chamber와 연결되어 있다.
3. 각종 파이프 : Precursor gas가 주입되는 파이프, Reactant가 주입되는 파이프, 그리고 Carrier gas가 주입되는 파이프가 main으로 구성되는데 carrier gas를 통해 유량을 제어할 수 있으며 각 cycle에 맞게 동작된다.

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