(주)울텍
EURA 200
10년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2023-07-26
56,700,270원
없음
해당 장비는 공정 시 챔버 내부에 산소 기체를 주입하고, 플라즈마(plasma)를 형성시킨 후, 이온화 된 입자들이 웨이퍼 표면 위의 유기물질 및 포토레지스트 막과 반응하여 제거하는 장비이다.
1) 2인치~8인치 웨이퍼/기판 공정 가능
2) 트랜스퍼 모듈 및 공정 진행 매뉴얼 및 자동 제어
- 자동제어 범위 : 챔버에 트레이를 장착후 동작 버튼을 누르면 VACUUM, 레시피 실행, 플라즈마 형성, 언로딩이 가능해야 함
3) 공정가스(O2, Ar) 유량 제어
4) Source(gas) injection type : Showerhead type
5) RF Plasma module과 매칭박스 탑재
• Chamber module
- Substrate size & load capacity : Piece~Max. 8 inch
- chamber material : Electro-polished SUS
- Source (gas) injection type : Showerhead type
• Process unit
- Process gases : O2, Ar MFC
- PC control : PC automatically & manually
- Product yield : 1 wafer/run
• Power supply module
- RF generator & Matching network : 600W in a 50Ω (Frequency @13.56Mhz)
기관의뢰 직접사용
고정형
일별
[EA] 60,560원
아르곤, 산소 등의 플라즈마 상태 가스 이온을 이용하여 SiO2, GaAs, GaN, InP 기반 웨이퍼 표면을 개질하여 산화물 디바이스 및 수동 광부품 제작 시 접착력의 향상, 표면 장력의 저하, 표면에 잔류하는 유기재료(포토레지스트) 등 이물질 제거 등의 용도에 사용되는 연구 장비에 적용한다.
<장비성능>
○ 적용가능 기판크기 : 2 ~ 8 인치
○ 식각 물질 : 포토레지스트 및 유기물질
○ 제품 수율 : 1 wafer/run
○ 소스(가스)분사 방식 : 샤워헤드 방식
○ RF 제너레이터 및 매칭 네트워크 : 600 W (@13.56 MHz)
○ 공정 가스 : O2, Ar