TESCAN
AMBER-GMH
5년
주장비
분석
광학·전자 영상장비 > 현미경 > 주사전자현미경
2023-10-25
1,164,806,350원
해당없음
주요 고장 현상 원리 분석
- 내구품의 표면/단면 분석, 산화막/코팅 두께 측정 및 성분 분석 등에 필요
- (대상) 전식 부식, 마이그레이션, 취성파괴, 소재 열화 등
- (내용) 다양한 환경 및 작동 조건에 따른 영향도 분석
- 내구품의 작동 환경에 대한 표면 변화, 또는 커넥터의 프렛팅 마모로 인한 도금 입자 손실 여부 및 손실량을 시각적으로 확인
- 염수분무 시험 등의 환경시험 후 제품의 부식 정도 등을 분석하여, 신뢰성 개선 및 향상에 활용
- 샘플표면의 원자단위의 분석을 통한 주요 고장 메커니즘 추정
기관의뢰
고정형
시간별
[EA] 30,000원
1. 전자빔을 시료 표면에 조사, 에너지 분산 분광 분석기로 검지하여 시료의 표면 형상 및 구성원소의 조성을 정량적으로 확인 및 분석 할 수 있음
2. 시료면을 EDS로 분석하여 구성원소의 분포 등 맵형태로 확인
* FIB-SEM
- Resolution : 0.9 nm at 15keV, 1.3nm at 1 keV
- Magnification : 2x to 2,000,000 x
- Electron Beam Energy : 50 eV to 30 keV
- Probe Current : 2pA to 400 nA
- Resolution : 2.5 nm at 30 keV or less
- Accelerating Voltage : 0.5 keV to 30 keV
- Probe Current : 1 pA to 100 nA
- Chamber Vacuum (High Vacuum Mode) : <9x10-3 Pa or less
- stage Movements : X = 130 mm / Y = 130 mm / Z = 90 mm
·Rotation : 360° continuous/Tilt: : –60° to +90°
- Beam Deceleration Technology : down to 50eV
- Plasma Cleaner : Device for removing Hydrocarbon from chamber and specimen
* Energy Dispersive Spectrometer System (EDS)
- Detector Resolution : ≤127eV (@130,000 cps) at Mn Ka
* Electron Backscatter Diffraction System
- Detector Type : High speed, low noise CMOS sensor
- Acquisition speed : >4,500pps (resolution 156 x 128)