FEI

없음

고해상도 이미징

TEM은 수십만 배까지 확대가 가능하여 나노미터(nm) 수준의 세부 구조를 관찰할 수 있습니다.

세포 내부 구조, 나노소재의 결정 구조, 박막의 계면 등을 정밀하게 분석할 수 있습니다.

결정 구조 분석

전자 회절 패턴을 통해 시료의 결정 구조, 격자 간격, 결정 방향 등을 확인할 수 있습니다.

단결정 및 다결정 재료의 특성을 파악하는 데 활용됩니다.

화학적 성분 분석

EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)나 EELS(Electron Energy Loss Spectroscopy) 기능과 결합하여 원소의 정성 및 정량 분석이 가능합니다.

특정 영역에서의 성분 분포를 지도화(Mapping)할 수 있습니다.

결함 및 계면 분석

결정립계, 트윈, 공공(vacancy), 전위(dislocation) 등 재료 내 결함을 시각적으로 분석할 수 있습니다.

이로 인해 재료의 기계적, 전기적 특성과 관련된 정보를 얻을 수 있습니다.

주요 사양 (Specifications)
가속 전압: 최대 200~300 kV

분해능: < 0.2 nm (고해상도 분석 가능)

이미징 모드: Bright field (BF), Dark field (DF), High-resolution TEM (HRTEM), STEM 등

검출기 구성:

EDS (에너지 분산형 X선 분석기)

EELS (전자 에너지 손실 분광기)

CCD 또는 Direct Electron Detector

장비 특징
고배율 고해상도 관찰 가능: 원자 단위의 결정 구조 분석

복합 분석 기능: 구조 + 성분 동시 분석 (이미징 + 분광기)

In-situ 분석 기능: 온도, 전기장, 기계적 스트레스 변화 조건에서 실시간 관찰

STEM 모드 지원: 나노영역의 정밀 스캔 및 분석

주요 활용 분야
반도체 소자 및 회로 분석

나노소재 및 신소재 구조 분석

금속, 세라믹 등 결정 구조 및 결함 관찰

생물 시료의 세포 및 바이러스 관찰 (특수 고정/염색 필요)