제4기한국
JSPDS-600M
4년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2022-03-30
319,608,360원
● Substrate Size : Max 600(Y)mm X 515(X)mm ~ Min 330(Y)mm X 330(X)mm
● Substrate Thickness : 0.04 ~ 5.0 mm
● Laser Via Desmear : 최소 Via Dia. 10㎛ 이상
● Polyimide Etching 속도 : 0.6um/min 이상
● DFR Etching 속도 : 0.6um/min 이상
● ABF Etching 속도 : 1.6um/min 이상
● Substrate Etching 균일성 : 90% 이상
● 플라즈마 전극 : Substrate의 양면( 및 단면)을 동시에 처리 가능하고, 기판의 온도를 제어할 수 있는 전극 냉각의 기능이 있어야 함. CCP + RIE 방식의 중공원형도전성합금봉을 나열한 전극방식으로 전극봉내부에는 온도자동제어용 냉각수가 흐르는 타입
● 장비크기 (mm) : 1800 (w) x 1450 (d) x 2000 (h)이하로 Comapact 할 것
● 본 장비는 진공 플라즈마 기술을 이용하여 차세대 반도체 미세회로 기판, 5G용 FPC 및 HDI 기판의 디스미어, Descum, Cleaning이 가능한 다목적 진공 플라즈마 장비로 플라즈마 지그에 기판을 셋팅하여 고속/고정도로 처리하는 시스템임.
● 차세대 Package (FC-BGA SAP공정 등) 및 반도체용 기판 대응가능한 Fine pattern 대응 장비로 고속 디스미어, 고 균일성, 고 생산성을 실현할 수 있은 장비임.
직접사용
고정형
기타
[Hr] 100,000원
● 본 장비는 진공 플라즈마 기술을 이용하여 차세대 반도체 미세회로 기판, 5G용 FPC 및 HDI 기판의 디스미어, Descum, Cleaning이 가능한 다목적 진공 플라즈마 장비로 플라즈마 지그에 기판을 셋팅하여 고속/고정도로 처리하는 시스템임.
● 차세대 Package (FC-BGA SAP공정 등) 및 반도체용 기판 대응가능한 Fine pattern 대응 장비로 고속 디스미어, 고 균일성, 고 생산성을 실현할 수 있은 장비임.
- 장비는 진공 플라즈마 기술을 이용하여 차세대 반도체 미세회로 기판, 5G용 FPC 및 HDI 기판의 디스미어, Descum, Cleaning이 가능한 다목적 진공 플라즈마 장비로 플라즈마 지그에 기판을 셋팅하여 고속/고정도로 처리하는 시스템임.
- Package (FC-BGA SAP공정 등) 및 반도체용 기판 대응가능한 Fine pattern 대응 장비로 고속 디스미어, 고 균일성, 고 생산성을 실현할 수 있은 장비임.