DiSCO
DFG8540
12년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 가공/리페어/절단장비
2022-04-27
499,000,000원
1.Wafer Size : 4~ 8인치 SiC(투명)
2.기판 두께 :325 ~ 375um
3.가공 가능 두께: 최대 1.8mm
4.가공 방식 : In-feed
5.이동 방식 : 자동 로봇 이송
6.가공 모드 : Full Auto / Manual Process Mode
7.스핀들 축 수 : 2
8.모터:6.0kw 이상
9.Vacuum Unit
10. Process 관련 - Grinder Wheel: 200mm
- High Rigidity: 6.3Kw(Spindle Power)
- TTV: 2um 이하
- Roughness: Grinding ≤5nm
후면그라인더 (BSG, Back Side Grinder) SiC Wafer(4,6인치) 공정 가능한 장비임
Wafer 후면을 연마 위한 전용 장비로 고강성 스핀들을 기본으로 SiC Wafer 가공을 위한 대량 생산을 위한 Wafer 로봇 이송
방식 및 공정제어 , 장비 관리 유지를 가능한 장비이다.
SiC Wafer의 후면 두께를 얇게 가공 SiC 소자의 기판 후면 가공을 통한 소자의 구동저항을 감소시켜 성능 향상 후면의 균일한 정밀 가공(Grinding)을 통한 금속 증착공정 시 금속간 접합력 향상 SiC Wafer의 후면 가공을 통한 소자의 집적화 및 부품 경량화 실현 Grinding 공정 시 발생되는 표면 미세결함을 Stress Relief공정을 통해 소자의 항절강도를 향상시킴 Back Side의 표면 가공 후 금속물질을 증착시켜 전면부와의 Ohmic Contact 실현
기관의뢰
고정형
건별
[KG] 600,000원
후면그라인더 (BSG, Back Side Grinder) SiC Wafer(4,6인치) 공정 가능한 장비임
Wafer 후면을 연마 위한 전용 장비로 고강성 스핀들을 기본으로 SiC Wafer 가공을 위한 대량 생산을 위한 Wafer 로봇
이송 방식 및 공정제어 , 장비 관리 유지를 가능한 장비이다.
SiC Wafer의 후면 두께를 얇게 가공 SiC 소자의 기판 후면 가공을 통한 소자의 구동저항을 감소시켜 성능 향상 후면의 균일한 정밀 가공(Grinding)을 통한 금속 증착공정 시 금속간 접합력 향상 SiC Wafer의 후면 가공을 통한 소자의 집적화 및 부품 경량화 실현 Grinding 공정 시 발생되는 표면 미세결함을 Stress Relief공정을 통해 소자의 항절강도를 향상시킴 Back Side의 표면 가공 후 금속물질을 증착시켜 전면부와의 Ohmic Contact 실현
1.Wafer Size : 4~ 8인치 SiC(투명)
2.기판 두께 :325 ~ 375um
3.가공 가능 두께: 최대 1.8mm
4.가공 방식 : In-feed
5.이동 방식 : 자동 로봇 이송
6.가공 모드 : Full Auto / Manual Process Mode
7.스핀들 축 수 : 2
8.모터:6.0kw 이상
9.Vacuum Unit
10. Process 관련- Grinder Wheel: 200mm
- High Rigidity: 6.3Kw(Spindle Power)
- TTV: 2um 이하
- Roughness: Grinding ≤5nm