- ICP-Etcher는 반도체 개발에 사용되는 공정장비로, 기판 위에 노광을 통한 회로 형성 후 식각 공정을 하는 장비임.

- Substrate size는 8인치 wafer까지 공정이 가능하며, 에칭 선택비가 높아 정밀 미세패턴 구현 가능함

- 회로 구성상 여러가지 금속 박막과 절연막을 Inductively coupled plasma를 이용하여 고집적의 회로 형성을 하게 하는 장비로, 반응성 가스와 플라즈마를 이용하여 산화물을 선택적으로 식각하는 장비이며, 현재 광주지역의 광소자 업체의 SiO2식각 전용장비로 사용되고 있음.