에스브이에스(주)
SSP200D
10년
주장비
교육
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 트랙장비
2022-01-26
53,850,000원
기관의뢰
고정형
시간별
100,000원
1) 본 장비는 반도체공정 중 포토리소그래피 공정을 수행하기 위한 장비로, 트랙장비의 자동동작이 아닌 매뉴얼 방식으로 4~8인치 웨이퍼를 각각 현상(Develop) 및 하드베이크(Hard bake) 할 수 있다.
2) 현상(Develop) 공정은 진공 Chuck을 이용한 Spin방식으로 진행 할 수 있다.
3) 하드베이크(Hard bake) 공정은 Hot Plate를 이용하여 접촉방식으로 진행 할 수 있다.
1) bake unit
-온도 범위: 룸room temp. ~ 200℃, max
-열판 표면 온도 정확성 :룸 온도 ~ 150℃ : ≤0.8℃, 150℃~200℃ : ≤1.5℃
-프로세스 신간 설정 범위 :0 ~ 999sec
-웨이퍼 취급 방식 :정밀 공기 실린더를 이용해서 3-포크 핀 상승/하강 방식
2) Develop unit
-스핀 모터 속도:~ 6000 rpm, max
-스핀 속도 정확성:설정 ±1 rpm
-스핀 가속도:0 ~ 30000 rpm/sec
-Dispense 암 정확성:≤ ±0.2mm
-웨이퍼 센터링:0 ~ ±0.2mm (척 ctr. /웨이퍼 ctr.)