쿠온솔루션
CUWLA-121
10년
옵션/액세서리(보조장치) (주장비:웨이퍼 후면 연마기)
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 라미네이터장비
공동활용서비스
2021-11-10
274,377,200원
해당없음
웨이퍼 라미네이터 테이프 접착
○ ‵웨이퍼 후면 연마 라미네이터′는 웨이퍼 후면 연마공정을 진행하기 전 웨이퍼 앞면의 패턴 등을 보호하기 위하여 보호필름을 접착시켜주는 필수 공정 장비임.
○ 반도체융합부품 실장기술 “시제품제작-신뢰성검증-성능평가” 일괄지원 인프라 구축 목표 중 시제품제작지원 공정 장비이며, 웨이퍼 후면 연마 공정을 진행하기 전 웨이퍼의 패턴면을 보호하기 위해 보호필름을 부착하는 필수 시제픔제작 공정 장비임.
기관의뢰
고정형
시간별
85,000원
○ ‵웨이퍼 후면 연마 라미네이터′는 웨이퍼 후면 연마공정을 진행하기 전 웨이퍼 앞면의 패턴 등을 보호하기 위하여 보호필름을 접착시켜주는 필수 공정 장비임.
○ 반도체융합부품 실장기술 “시제품제작-신뢰성검증-성능평가” 일괄지원 인프라 구축 목표 중 시제품제작지원 공정 장비이며, 웨이퍼 후면 연마 공정을 진행하기 전 웨이퍼의 패턴면을 보호하기 위해 보호필름을 부착하는 필수 시제픔제작 공정 장비임.
○ Applicable Wafer
- Wafer size : Max ∅300㎜(∅8인치&∅12인치)
- Wafer Thickness : 400㎛~700㎛
- Wafer Bump height : Max 300㎛
○ Load Port : Double(2System)
○ Wafer Align accuracy Centering : ±3mm / Theta ±0.5°
○ Lamination
- Chuck Unit : ∅8인치&∅12인치
- Chuck Temp : Max100℃ ±5℃
- Lamination Speed : 1mm/s~60mm/s
○ Tape Unit
- Tape Width : 230mm(∅8인치), 330mm(∅12인치)
- Tape Cutting Temp : Max120℃ ±10℃
- Tape Cutting Speed : 10mm/s~200mm/s
○ Bond Roller unit
- Roller Material : Silicon Rubber
- Roller hardness : Shore A70
- Roller Diameter : ∅ 60mm
- Roller Temp : Max80℃ ±10℃
○ UPH : 60 Wafer/hr
○ Ionizer
- 6EA(Bar Type) / 1,000V->100V(Within 10sec)
○ PLC Control Unit : System 제어