1) 기재(Substrate)
- 기재 타입 : 섬유, 필름
- 기재 두께 범위 : 50~200㎛
- 작업 폭 : max. 1,600mm
2) 와인딩 part
- 작업 속도 : 0~7m/min
- 권취 직경 : max. 500mm
- 장력 범위 : 50~150N
3) 전처리(Pre-treatment)
- Pre-heating : MIR Heater
- 전처리 : DC-bombardment 1SET
- 가스 : Ar, O2
4) 스퍼터링 & 타겟 part
- 타겟 물질 : TCO(ITO), Oxide, Metal
- 음극(Cathode) 타입 : Single magnetron cathode
- 음극 수량 : 3EA
- 반응 가스 : Ar, O2
5) Mass flow controller(MFC)
- 전처리 : Ar 500sccm, O2 10sccm
- 공정 : Ar 1,000sccm, O2 200sccm
6) Pumping & Vacuum parameter
- 기저압력(Base pressure) : 5.0×10-6Torr
- 기저압력 도달시간(무 부하시) : 4시간 이하