가. 본 장비는 크게 메인 챔버 (process chamber), Vacuum pumping System, Substrate unit,
E-Beam Source unit, Metal Source unit, Deposition Control unit 및 컨트롤 타워로 구성되어 있으며 각 파트는 서로 상호유기적으로 연결되어 하나의 시스템으로 역할을 한다.
나. 메인 챔버는 기본적으로 고진공 분위기를 유지하기 위해 Turbo Molecular Pump(TMP)와 연결되어 있고, TMP는 로터리펌프와 유기적으로 연결되어 있다.
다. Substrate는 4“Wafer Loading 및 Heating이 가능하게 되어 있다.
라. E-Beam Source 및 Metal Source는 각각 1set로 구성되어 있으며 증착은 Deposition Controller로
제어한다.
마. 컨트롤 타워는 공정을 진행하기 위해 필요한 제어장치의 일종으로, 실시간 각 챔버들의 기능을 제어하고 모든 상황을 모니터링 가능한 시스템을 의미한다.