(주)대기하이텍
Atomic layer deposition
12년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 원자층증착장비
2021-12-14
83,827,450원
기관의뢰
고정형
시간별
80,000원
본 장비는 원자층 수준으로 박막을 증착하기 위한 장비로
흔히 고유전율 박막 재료나 강유전체 소재를 증착하는데 최적화 되어있음.
Al2O3, HfO2, ZrO2 등의 소재를 증착할 수 있음.
가. 본 제작품은 진공상태에서 ALD System을 이용한 다양한 박막을 만들기 위한 장치임.
다. 최종 도달 진공고: 1x10-3 Torr보다 낮아야 함.
라. 증착 균일도: Al2O3 박막을 6“Wafer 면에 증착할 경우 ±1% 이내여야 함.
마. Substrate 가열온도 균일도: 6“기준 250℃±1% 이내여야 함.
바. Heater 최고 도달 온도: 600℃