가. 본 장비는 은 진공상태에서 Multi, Co-Sputter System을 이용한 다양한 박막을 만들기 위한 장치임.
나. 스퍼터의 기본원리 및 특징은 고진공에서 Ar 또는 N2 플라즈마를 통해 높은 에너지의 입자를 생성하여 그 입자를 증착하고자 하는 타겟의 표면에 충돌시키고 그 충격으로 분리된 타겟의 원자를 기판 위에 증착 시키는 것이다.
다. 최종 도달 진공고: 1x10-7 Torr보다 낮음.
라. 증착 균일도: 3“Wafer면에 측착할 경우 ±1% 이내.
마. Substrate는 공전 및 자전이 가능하다.
바. Multi Sputter의 경우 동시에 2개의 Wafer에 증착이 가능하다
사. Robotic Transmodule을 이용하여 Wafer를 Multi-Sputter Chamber와 Co-Sputter Chamber를
진공을 깨지않고 이동할 수 있다.