Spts
c2L
5년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2021-12-14
2,093,493,010원
기관의뢰
고정형
건별
[EA] 70,000원
○ DSiE (Deep Silicon etching) 장비는 고밀도 플라즈마와 낮은 이온 에너지를 이용하여 두꺼운 Si bulk를 높은 식각율과 높은 종횡비로 깊은 두께의 식각 및 via hole을 매우 정밀 하게 만드는 기술이 가능한 장비임
○ ICP식각 장비는 일반 RIE 장치에 비해 균일한 고밀도 플라즈마로 반응하므로 PR의 데미지를 최소화하면서 실리콘과 실리콘화합물을 고속 식각하거나 RIE 장치로 식각이 불가능한 화합물이나 금속을 정밀 식각할 수 있는 장비임
1) Cassette Loadlock Module
- Substrate size : 6inch to 8inch
- Cassette capacity : ≥ Si wafer 25ea
- Ultimate pressure ≤ 1.0E-1 Torr
2) Transfer Module(Brooks handler / module 포함)
- Chamber type : 4-way angle type or 6-way angle
- Valve : Gate valve only
- Handling capacity : Si wafer 1ea /moving
- Ultimate pressure ≤ 1.0E-1 Torr
3) Deep RIE Module
- RF Bias power : ≥ 300W(Auto Match Unit)
- ICP source : : ≥5KW(Auto or Fixed HN Match Unit)
- Closed Couple Gas Pod : ≥ 6개 line연결
- MFC 구성 : ≥ 6개 line
- Chuck Electrode : ESC clamped type only
- Loading capacity : ≥ Silicon wafer 1ea
- Ultimate pressure ≤ 1.0✕10E-5Torr
4)Dual source ICP-RIE Module
- RF Bias power : ≥ 600W(Auto Match Unit)
- ICP source : : ≥ 3KW(Auto Match Unit)
- Gas box : ≥ 8개 line연결
- Clamping 방법: ESC or Mechanical clamp
- Working Pressure : 1~20mTorr by AP
- Ultimate pressure ≤ 1.0E-5Torr
- Loading capacity : ≥ Silicon wafer 1ea