ㅇ 구성 및 성능
- 최대12“ (300mm X 300mm) 기판 사용하도록 구성
- 반응기 내부에서 Source 및 Gas 공급 시 유량 제어 장치로 제어가 되도록 구성
- Chamber volume은 최소 공간으로 구성 (최대 12“ 기준에서 4L이하)
- 반응기 온도는 (50℃~450℃) 재질은 AL603 이며 저온 공정 기능을 포함
- iCVD 구성은 Filament Type으로 구성
- 히터 (208V 600W) 최대온도 450℃ / TC Type K-type 히터 내장 type
- 반응기 재질 (AL603) 표면처리 및 표면조도 처리하여 제작
- Gas line 재질 (EP Tube) size 1/4“ 이며 오토용접으로 제작
- Gas line 온도제어는 리본히터를 이용하여 제어가 가능하도록 제작
- ALD 반응기는 Shower Head Type이며 외부 히터기능까지 포함하여 구성
- 반응기 온도는 200℃ 까지 승온 가능
- 반응기는 균일한 공정을 위해 Uniform Gas Shower Head 구조 이며 Source와 반응 가스가 Shower Head 내에서의 기상반응을 억제할 수 있는 구조로 제작
- 반응기는 Plasma 공정이 추가설치 되도록 준비 구성
- 사용 가스 Ar, N2, NH3, O2, H2 등로 구성이 되어야 하며 사용자 안전을 고려하여 구성
- MO-source : 4set (H2O포함) (단, 2set-Heating 제어가 되도록 구성 제작한다)
용량 250cc 재질 SUS316L EP 처리
- Polymer-Source :2set (1set), 용량 100cc 재질 SUS316L EP 처리
- Temp 측정
기판크기 : 최대 12“ (Si Wafer) 300mm X 300mm
기판종류 : Si기판 및 Polymer 기판
기판온도 :
▶ Max. 450℃ (기판온도 기준) / Max. 500℃ (히터온도 기준) PC제어방식
▶ 저온 제어 50℃~80℃ (칠러)
▶ 균일도 ≤ ± 3℃ (기판온도 기준), 그림 1 참조, TC Wafer로 측정
▶ 기판은 샤워헤드와의 gap이 조절되도록 구동되어야 함.
(stepping motor 를 이용하여 1mm 단위로 조절, 조절 범위 (1~20mm이내))

- 증착막 균일도 : ≤ ± 5% (edge에서 5mm 제외)
- 저온 플라즈마 성막 프로세스가 가능하며, ALD와 CVD 공정이 모두 대응 가능한 장비로 구축
ㅇ Chamber Assy
- 12inch showerhead PEALD 300mm*300mm iCVD (Filament type)
- Susceptor heater & cooling: ~ ≦ 450℃, Stainless steel 316
- Dual showerhead (temp ~≦ 150℃), Al. SHD to heater gap controllable
- loadlock chamber: Semi-Automated manual
ㅇ Gas Delivery Assy
- 3 sets of metal precursor supply lines 150℃ canister with carrier gas type
- 1 set of liquid reactant (ex. H2O) supply lines room temperature canister
- 4 Ports for process gases reactant supply lines
ㅇ RF plasma Kit (matcher & generator): 1kW, 13.56MHz CCP type 1kw
ㅇ Temp Uniformity: ≤ ± 3℃ (기판온도 기준)
ㅇ Coating Uniformity: ≤ ± 5% (edge에서 5mm 제외)
ㅇ 진공도 : 5 × 10-3 torr이하 (펌핑 후 2시간뒤 체크시)
ㅇ Leak rate (He) < 5 × 10-8 torr*L/min @ dry pump
ㅇ 진공펌프 : 드라이펌프(공정용), 독성 및 부식가스 사용가능 모델
ㅇ 제어시스템 : 공정제어, PC를 이용한 수동 및 자동제어