생산, 세라믹기판 위 금속, 유전막 박막 증착

○ Target을 이용한 금속, 산화 박막 형성을 위한 장비
- 전도성 있는 금속 박막 (Ti, Cr, Au, Al등) 형성
- 유전성있는 산화 박막(SiO2, Al2O3, TiO2, Ta2O5 등) 형성
- 단일 박막 또는 이종 물질을 이용한 다층 박막 형성

○ 300mm급 세라믹기판 수용 가능한 설비
○ 다층막 PI(polyimide) 및 세라믹기판 위 금속 박막 공정
- 다층막 PI 코팅 후 금속 배선 연결을 위해 뚫려있는 via에 금속 배선 형성
- 세라믹기판 위 Micro Probe 형성을 위한 다층 금속 박막 형성

※ Substrate 크기 : 300mm
※ 지원 가능 substrate : 세라믹 기판, Si 등
※ 박막/substrate adhesion 제어용 treatment system
※ 진공 : < 1x107 torr
※ 증착 물질 : 금속 (Ti, Cu, Au, Cr 등),
산화물 (SiO2, Al2O3, TiO2, Ta2O5 등)