개요
◯ 극미세 결정립 이방성 희토자석 제조/생산 장비로 등방성 극미세 결정립 자성분말을 열간이방화공정을 통해 이방벌크자석으로 제조. (결정립 미세화 및 이방화 기술을 통한 고특성화)
장비 구성 및 사양
-전기로 챔버(Furnace chamber)
-압축 시스템(Press System)
-히터 및 단열 부품(Heater & Insulation parts)
-진공 시스템(Vacuum System)
-장비 조작(System control)
-유틸리티(Utilities)
■공압 장치(Pneumatic System)
■냉각 장치(Cooling System)
■전기 제어 및 전원 공급 장치 (Electrical Control & Power Supply System)
세부 사항
전기로 챔버(Chamber)
: 이중 자켓 구조(jacket vessel), 챔버가 수직으로 배치되는 구조, 제품을 전면 및 배면으로 로딩할 수 있는 문(door).
압축 시스템(Press system)
: Type: Servo Valve, 최대 하중용량: 1000kN(100톤), VISUAL BASIC, C++ 응용프로그램제작
히터(Heater)
: (3-zone)을 갖는 저항식 칸탈 히터사용 및 기타 부품, 온도: 공정 온도 1,000℃, 최대 온도 1,200℃,
- 온도 균일도: 1,000±1℃, 공정 온도편차±1℃.
- 온도 균일도 측정은 신뢰도가 높은 1,000℃에서 진행.
승온 속도(진공 상태, 내부에 제품 없는 경우)
- 40 ℃/min(상온~1,000℃)이상
진공 압력
: 최저 도달 압력: 1.0x10-6Torr이하, 공정 압력 도달 시간: 30분 이내, 장비전체 leak율 :　1 x 10-9 mbar x l/s 미만(성적서 제출)