테스
OLED봉지 화학기상증착기
12년
주장비
생산
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비
공동활용서비스
2025-05-27
2,998,418,800원
없음
수분 및 산소 차단막 형성 (Barrier Layer Deposition)
PECVD는 주로 무기막(inorganic layer)을 증착하여 OLED 소자를 외부의 수분과 산소로부터 보호하는 역할을 합니다. 일반적으로 SiNx (질화규소), SiON (산화질화규소), SiO2 (이산화규소) 등의 박막을 형성합니다. 이 박막들은 매우 치밀하게 증착되어 수분 투과율(WVTR: Water Vapor Transmission Rate)을 극도로 낮춥니다.
저온 공정 가능
OLED 유기물은 열에 취약하기 때문에, 박막 증착 시 고온 공정을 피해야 합니다. PECVD는 플라즈마를 이용하여 반응 가스를 활성화시키므로 낮은 온도(200~400°C, 심지어 100°C 이하도 가능)에서도 고품질의 박막을 증착할 수 있습니다. 이는 OLED 소자의 손상을 최소화하는 데 매우 중요합니다.
우수한 박막 균일도 및 스텝 커버리지
PECVD는 복잡한 기판 형상에도 균일하고 치밀한 박막을 형성할 수 있으며, 단차(step)가 있는 부분에도 우수한 스텝 커버리지(step coverage)를 제공하여 전체 소자의 봉지 성능을 향상시킵니다.
다층 박막 형성 (Multi-layer TFE): 유연(flexible) OLED의 경우, 단일 무기막으로는 충분한 차단 성능을 얻기 어렵습니다. 따라서 PECVD로 증착한 무기막과 유기막을 번갈아 여러 겹으로 쌓아 올리는 Thin Film Encapsulation (TFE) 방식을 사용합니다.
AMOLED에서 빛을 내는 유기물질(RGB)을 산소와 수분으로부터 보호하는 봉지막을 증착(성막)하는 화학기상증착기(PECVD) 시스템입니다.
메인 챔버는 TM, PASSAGE 챔버, DUAL PASS 챔버, MASK 챔버, FLIP 챔버, LOAD&UNLOAD 챔버로 구성 되어 있습니다.
부속 설비는 GAS BOX, OP RACK, POWER RACK, HEAT EXCHANGER, SCRUBBER, DRY PUMP, CRYO PUMP(COMPRESSOR 포함) 으로 구성 되어 있습니다.
증착기와 연결 하는 챔버는 PASSAGE 챔버이며, 양 설비 간 갑섭을 피할 수 있도록 챔버 설계 될 예정입니다.
DUAL PASS 챔버는 잉크젯 프린터와 연결하며, 해당 챔버는 2개의 독립적인 챔버로서 양방향 물류가 가능하며, CVD/IJP/CVD 순으로 공정 진행 가능합니다.
사용자가 간이 크레이 사용 가능하도록 설계 방영 하였습니다.
기관의뢰
고정형
시간별
[Hr] 495,500원
AMOLED에서 빛을 내는 유기물질(RGB)을 산소와 수분으로부터 보호하는 봉지막을 증착(성막)하는 화학기상증착기(PECVD) 시스템입니다.
메인 챔버는 TM, PASSAGE 챔버, DUAL PASS 챔버, MASK 챔버, FLIP 챔버, LOAD&UNLOAD 챔버로 구성 되어 있습니다.
부속 설비는 GAS BOX, OP RACK, POWER RACK, HEAT EXCHANGER, SCRUBBER, DRY PUMP, CRYO PUMP(COMPRESSOR 포함) 으로 구성 되어 있습니다.
증착기와 연결 하는 챔버는 PASSAGE 챔버이며, 양 설비 간 갑섭을 피할 수 있도록 챔버 설계 될 예정입니다.
DUAL PASS 챔버는 잉크젯 프린터와 연결하며, 해당 챔버는 2개의 독립적인 챔버로서 양방향 물류가 가능하며, CVD/IJP/CVD 순으로 공정 진행 가능합니다.
사용자가 간이 크레이 사용 가능하도록 설계 방영 하였습니다.
PECVD 공정 진행 시 Mask 사용하여 일부 영역에만 봉지막을 증착 할 수 있도록 합니다.
TM Robot은 Dual Arm이며, Glass(Face Up) 처리하는 Arm, Mask 및 Face Up 처리하는 Arm도 있습니다.
설비 passline은 증착기 기준으로 하며, 증착기와 잉크젯 프린터와 통신을 하며, CIM 적용합니다.
설비 안전 등을 고려하여 제3자 인증도 받습니다.
설비 유지보수 차원에서 소모성 파트 제공 하며, Tool도 한 세트 제공합니다.
메인 설비는 Mian-FAB에 설치하며, 부속 설비는 하부FAB에 설치합니다.
PECVD 챔버 중 Mask와 Glass CCD 정밀 Align이므로 사용자 측에서 Grating 설치가 필요합니다.
장비 구성
1. Load lock chamber 1ea
2. PECVD Process chamber 1ea
3. Flip chamber 1ea
4. Mask Stock 1ea
5. Transfer chamber 1ea
6. Pass Module 1ea
성능
SiNx
Deposition rate : ≥250 nm/min
Uniformity (In Glass) : ≤5%
Uniformity(Glass to Glass) : ≤3%
RI : 1.85 ± 0.05
Transmittance : ≥92%
Stress : ≤±100MPa
Stress reliability : ≤10MPa
WVTR : ≤5 x 10-4 g/m2-day
Shadow effect : ≤300um
Wet Etch Rate : ≤1,500 nm/min
Surface Roughness : ≤1.5nm
Cleaning rate : ≥800 nm/min
SiON
Deposition rate : ≥250 nm/min
Uniformity (In Glass) : ≤5%
Uniformity(Glass to Glass) : ≤3%
RI : 1.75 ± 0.05
Transmittance : ≥95%
Stress : ≤±100MPa
Stress reliability : ≤10MPa
WVTR : ≤5 x 10-4 g/m2-day
Shadow effect : ≤300um
Wet Etch Rate : ≤1,200 nm/min
Surface Roughness : ≤2.0nm
Cleaning rate : ≤800 nm/min
SiOx
Deposition rate : ≥250 nm/min
Uniformity (In Glass) : ≤5%
Uniformity(Glass to Glass) : ≤3%
RI : 1.45 ± 0.05
Transmittance : ≥95%
Stress : ≤±100MPa@300nm
Stress reliability : ≤10MPa